找到“ID8155”相关的规格书共8,200个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| IPA041N04N G | Infineon Technologies | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| FQP10N20C | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):9.5A;功率(Pd):72W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):360mΩ@10V,4.75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| FDPF14N30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):300V;连续漏极电流(Id):14A;功率(Pd):35W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):290mΩ@10V,7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA; | 获取价格 | ||
| G120N04A | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):130W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| SE8090A | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):90A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| SE30150A | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):90W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.2mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| KNP2910A | KIA | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):130A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,70A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| SE85210GA | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):210A;功率(Pd):310W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.8mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.8V@250uA; | 获取价格 | ||
| KIA2906A | KIA | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):130A;功率(Pd):200W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| SE100P60A | SINO-IC | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):188W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| RU40190R | Shenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):190A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5mΩ@10V,75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| FQP4N90C | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):900V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):140W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA; | 获取价格 | ||
| HY3008P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):200W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| TK11A65W,S5X(M | TOSHIBA CORPORATION | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):11.1A;功率(Pd):35W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):390mΩ@10V,5.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@450uA; | 获取价格 | ||
| SE120120GA | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):120V;连续漏极电流(Id):129A;功率(Pd):185W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.1mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| P1010AT | NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):69A;功率(Pd):115W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10.5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| CRST049N08N | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):189W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.9mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| KNP3508A | KIA | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V,35A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| IPP90R340C3 | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):900V;连续漏极电流(Id):15A;功率(Pd):208W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):340mΩ@10V,9.2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@1mA; | 获取价格 | ||
| SVF740T | Silan | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):400V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):130W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):600mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 |
