找到“ID8155”相关的规格书共8,200个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD60R800CE | Infineon Technologies | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| FQD10N20CTM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):7.8A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):360mΩ@10V,3.9A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| SE6020DB | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):45W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| CRTD110N03L | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):40W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V,12A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA; | 获取价格 | ||
| JST80N30T2A | JESTEK | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):90A;功率(Pd):90W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| LSG70R450GT | Lonten Semiconductor Co.,Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):11A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):450mΩ@10V,5.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS55N06A4 | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):55A;功率(Pd):69.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):13mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.9V@250uA; | 获取价格 | ||
| SE30100B | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):110W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| CRTD045N03L | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):101W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.3V@250uA; | 获取价格 | ||
| LNG4N65 | Lonten Semiconductor Co.,Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):77W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.7Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| 2SK3541 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100mA;功率(Pd):150mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8Ω@4V,10mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@100μA; | 获取价格 | ||
| JCS2N60MFB-126F | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):1.9A;功率(Pd):44W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CJA03N10S | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):500mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):140mΩ@10V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA; | 获取价格 | ||
| CJA9451 | Rubycon Corporation | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2.3A;功率(Pd):500mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):135mΩ@4.5V,2.3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| KO3400 | GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):5.8A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@10V,5.8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@250uA; | 获取价格 | ||
| BS170-D26Z | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):500mA;功率(Pd):830mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,200mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@1mA; | 获取价格 | ||
| SE30P12D | SINO-IC | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):15mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| SSM3K37MFV,L3F | TOSHIBA CORPORATION | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA | 获取价格 | ||
| SIR462DP-T1-GE3 | Vishay Intertechnology, Inc. | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：4.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.9mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA | 获取价格 | ||
| WNM2020-3/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 功率(Pd)：320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 类型：N沟道 | 获取价格 |
