找到“ID8155B”相关的规格书共8,200个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| PMF250XNEX | Nexperia | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：1A 功率(Pd)：275mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：212mΩ@4.5V,900mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：1.05nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：81pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：8.5pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| HYG050N08NS1B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):130A;功率(Pd):187.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):68nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.28nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):25pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3060K | FM | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):65W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):35nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.45nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):185pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FHP3205C | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):110A;功率(Pd):210W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.2mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):146nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.247nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):211pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| CS8N60A8H | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):110W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):29nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.253nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):15pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ATM1205PSI | Agertech | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):12V;连续漏极电流(Id):1.7A;功率(Pd):470mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):75mΩ@4.5V,1.7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):750mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):8.7nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):618pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):134pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ATM2N65TD | Agertech | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):28W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.9Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):45nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):370pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):9pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ATM6402NSA | Agertech | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):6.1A;功率(Pd):1.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):18mΩ@10V,6.1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):14.1nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):645pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):68pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HG4953M/TR | Guangdong Huaguan Semiconductor Co., Ltd. | 类型:2个P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):4.9A;功率(Pd):2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):53mΩ@10V,4.9A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):11.6nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):625pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):60pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HP16N10 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):16A;功率(Pd):160W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V,8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):34nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):519pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):103pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HB100N08 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):82V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):147W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):115nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):5.053nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):145pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HD60P03 | HL | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):60W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):13mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):30nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.7nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):108pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BSZ086P03NS3E G | Infineon Technologies | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):40A;功率(Pd):69W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@105uA;栅极电荷(Qg@Vgs):43.2nC@0~10V;输入电容(Ciss@Vds):3.19nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):110pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BSZ084N08NS5 | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):64A;功率(Pd):63W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.1mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@31uA;栅极电荷(Qg@Vgs):20nC@0~10V;输入电容(Ciss@Vds):1.4nF@40V;反向传输电容(Crss@Vds):13pF@40V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BSZ0909NS | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):34V;连续漏极电流(Id):36A;功率(Pd):25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):6.1nC@0~4.5V;输入电容(Ciss@Vds):975pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):21pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BSP603S2L | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):5.2A;功率(Pd):1.8W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):23mΩ@10V,2.6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@50uA;栅极电荷(Qg@Vgs):31nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.034nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):75pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BSZ0910ND | Infineon Technologies | 类型:2个N沟道(半桥);漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):25A;功率(Pd):31W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.7mΩ@10V,9A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):8.2nC@0~10V;输入电容(Ciss@Vds):590pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):21pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BSZ088N03LS G | Infineon Technologies | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):35W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.3mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):7.5nC@0~4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.3nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):25pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BUK9608-55A,118 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):75A;功率(Pd):253W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.4mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):92nC@5V;输入电容(Ciss@Vds):4551pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):500pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BUK9K6R8-40EX | Rubycon Corporation | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):40A;功率(Pd):64W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@5V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.7V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):22.2nC@5V;输入电容(Ciss@Vds):2.25nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):148pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 |
