找到“ID8155B”相关的规格书共8,200个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| NT2955G-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):34W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):61mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):10nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):100pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCE3095K | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):95A;功率(Pd):95W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.1mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):38.4nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.784nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):212pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SMIRF4N65T9RL | Sourcechips | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):13.7nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):610pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):7pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N7002T-HAF | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):115mA;功率(Pd):150mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,500mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):50pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):5pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PMF63UNEX | Nexperia | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.2A 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：57mΩ@4.5V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：3.9nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：289pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：42pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| FKBA3006 | FETek Technology Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):81A;功率(Pd):59W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):20nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):2.295nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):210pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG072N08NR1P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):188W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.8mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):68nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.77nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):164pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG065N15NS1B6 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):165A;功率(Pd):375W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,100A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.2V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):96nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):6.646nF@75V;反向传输电容(Crss@Vds):88pF@75V;工作温度:+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG030N03LQ1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):57W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):29.7nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.958nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):292pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG025N04LQ1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):150W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.4mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.7V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):151nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):7.08nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):334pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG035N06LS1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):65V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):183W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):41.7nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):3.687nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):112pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| CS4N70FA9R | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):30W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.55Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):12.7nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):606pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):2.7pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HD50N06(BAF) | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):120W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):40nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.6nF@20V;反向传输电容(Crss@Vds):90pF@20V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HL20N04 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):38W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):20nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):840pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):60pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HF10N80 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):65W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):83nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.979nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):53pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BSZ058N03LS G | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):71A;功率(Pd):45W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.8mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):11nC@0~4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.8nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):36pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BUK7E1R8-40E,127 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):349W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):145nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):8500pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):985pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BUK7Y43-60EX | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):22A;功率(Pd):45W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):29.8mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):10.4nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):463pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):66pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BUK7K5R1-30E,115 | Rubycon Corporation | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):40A;功率(Pd):68W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.34mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):31.1nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.764nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):242pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BUK763R4-30,118 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):75A;功率(Pd):255W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.9mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):75nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3713pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):460pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 |
