找到“ID8156B”相关的规格书共8,216个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| CMD60N68K | Guangdong Field Effect Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):68V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):110W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ; | 获取价格 | ||
| RC407 | RealChip | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):18A;功率(Pd):32W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,8A; | 获取价格 | ||
| CMD5N50 | Guangdong Field Effect Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):4.5A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5Ω; | 获取价格 | ||
| ME12P04-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):50A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,50A; | 获取价格 | ||
| AP90T03GS-HF-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):98A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.8mΩ@10V,98A; | 获取价格 | ||
| CMD100P03 | Guangdong Field Effect Semiconductor Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):90A;功率(Pd):65W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12.5mΩ; | 获取价格 | ||
| IPD30N10S3L-34-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):40A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,40A; | 获取价格 | ||
| FQD4N50-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4.5A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.8Ω@10V,4.5A; | 获取价格 | ||
| IRFR120TRPBF-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):15A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):114mΩ@10V,15A; | 获取价格 | ||
| IRFR3910TRPBF-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):15A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):114mΩ@10V,15A; | 获取价格 | ||
| AP20N06D | Taiwan APM Technology Limited By Share Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):31.3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):33mΩ@10V,15A; | 获取价格 | ||
| BUK9612-55B,118 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):75A;功率(Pd):157W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,25A; | 获取价格 | ||
| IPB054N06N3 G | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):115W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.7mΩ@10V,80A; | 获取价格 | ||
| NTB190N65S3HF | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):162W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):190mΩ@10A,10V; | 获取价格 | ||
| FS2310M | FOSAN Semiconductor | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):1.2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@4.5V,5A; | 获取价格 | ||
| KY3407 | Shenzhen Hanjingyuan Electronics Co., Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):4.1A;功率(Pd):1.67W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):48mΩ@10V,4.1A; | 获取价格 | ||
| KY2312 | Shenzhen Hanjingyuan Electronics Co., Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):1.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@4.5V,5A; | 获取价格 | ||
| KY2301H | Shenzhen Hanjingyuan Electronics Co., Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):400mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):76mΩ@4.5V,1A; | 获取价格 | ||
| KYL3400 | Shenzhen Hanjingyuan Electronics Co., Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):5.8A;功率(Pd):1.36W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):19mΩ@10V,4.2A; | 获取价格 | ||
| NCE3404Y | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):5.8A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):23mΩ@10V,5A; | 获取价格 |
