找到“ID8156B”相关的规格书共8,216个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| WSD4023DN56 | Winsok power Semiconductor CO., LTD | 1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：32/-22A | 获取价格 | ||
| NCEP0178AK | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | N沟道 Vdss=100V Id=78A RDS(On)=9.5mΩ@4.5V | 获取价格 | ||
| SL11N65CF | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W | 获取价格 | ||
| SL10N65F | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：41.8W | 获取价格 | ||
| SI2301DS | Tech Public Electronics Co.,Ltd. | MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3A P=1W SOT23 | 获取价格 | ||
| WSF50N10G | Winsok power Semiconductor CO., LTD | P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：71W | 获取价格 | ||
| WSD50P10ADN56 | Winsok power Semiconductor CO., LTD | P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：104W | 获取价格 | ||
| WSD80120DN56 | Winsok power Semiconductor CO., LTD | N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：104W | 获取价格 | ||
| WST2088A | Winsok power Semiconductor CO., LTD | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：7.5A 功率(Pd)：1.25W | 获取价格 | ||
| SL9945 | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | Dual N-Channel Vdss：60V Id：3.6A Pd：2.1W SOIC8_150MIL | 获取价格 | ||
| TPNTS4101PT1G | Tech Public Electronics Co.,Ltd. | MOSFETs SOT323 VDS=20V ID=2.3A PD=290mW | 获取价格 | ||
| BLM2301 | SHANGHAI BELLING | P沟道增强型功率MOSFET VDS=20V，VGS=±12V ID=3A SOT23 | 获取价格 | ||
| NCE2030K | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：40W | 获取价格 | ||
| NCE30H12K | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：120W | 获取价格 | ||
| NCE55P04S | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 2个P沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：3W | 获取价格 | ||
| NCE6045G | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | MOS管 N-channel Id=45A VDS=60V DFN8_5X6MM_EP | 获取价格 | ||
| NCE65T540F | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：31.6W | 获取价格 | ||
| NCEP040N10D | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：130A 功率(Pd)：210W | 获取价格 | ||
| TPN19008QM,LQ(S | TOSHIBA CORPORATION | 耗尽型场效应管 TSON Advance VDS=10V, ID=0.2mA RDS(ON) =14.7mΩ | 获取价格 | ||
| TPH4R50ANH1,LQ(M | TOSHIBA CORPORATION | 耗尽型场效应管 SOP Advance(N) VDS=10V ID=1.0mA RDS(ON) = 3.7 mΩ | 获取价格 |
