找到“ID8156B”相关的规格书共8,216个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| RZM002P02T2L | Rohm Semiconductor | MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±10V ID=200mA Pd=150mW SOT723 | 获取价格 | ||
| SI2325DS-T1-GE3 | Vishay Intertechnology, Inc. | MOS管 P-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=530mA RDS(ON)=1.2Ω@10V SOT23-3 | 获取价格 | ||
| NCE2309 | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=1.6A RDS(ON)=190mΩ@10V SOT23 | 获取价格 | ||
| 2N7002 | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：350mW | 获取价格 | ||
| UT3N06G-AB3-R | Unisonic Technology Co., Ltd. | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3A Pd=690mW SOT89 | 获取价格 | ||
| IRF3710PBF | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=70A RDS(ON)=37mΩ@10V TO220AB | 获取价格 | ||
| IPB072N15N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=7.5mΩ@10V TO263-3 | 获取价格 | ||
| VS3618AE | Vergiga Semiconductor | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=7Ω@10V PDFN3333 | 获取价格 | ||
| STP20N65M5 | ST | MOS管 N-Channel VDS=710V VGS=±25V ID=18A RDS(ON)=190mΩ@10V TO220 | 获取价格 | ||
| AO4884-MS | Mason semiconductor | 2个N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：2W SOP8_150MIL | 获取价格 | ||
| AO3401CI-MS | Mason semiconductor | MOSFETs P-Channel SOT23-3 Vds=20V Vgs=±8V Id=3A Pd=350mW | 获取价格 | ||
| WPM2341-MS | Mason semiconductor | P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：400mW SOT23-3L | 获取价格 | ||
| 2SK3019-MS | Mason semiconductor | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：150mW SOT523 | 获取价格 | ||
| HX2301A | hjxai | MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=2.5A RDS(ON)=95mΩ@4.5V SOT23 | 获取价格 | ||
| SM4485PRL | Sourcechips | P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：3.1W SOP8_150MIL | 获取价格 | ||
| BSN20 | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=300mA RDS(ON)=1.3Ω SOT23 | 获取价格 | ||
| 2N7002K | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：350mW | 获取价格 | ||
| AP2306GN | APEC | N沟道增强型功率MOSFET VDS=20V VGS=±12V ID=5.3A SOT23 | 获取价格 | ||
| BLM2305 | SHANGHAI BELLING | P沟道增强型功率MOSFET SOT23 VDS=20V ID=4.1A VGS=±12V | 获取价格 | ||
| 2N7002K | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：350mW | 获取价格 |
