找到“INA2143UA”相关的规格书共5,925个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| KDT3055L | GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA; | 获取价格 | ||
| ER106-AY-10001 | PANJIT SEMI CONDUCTOR | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.7V@1A;反向电流(Ir):1uA@600V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FR102 | Goodwork Semiconductor Co.,Ltd. | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.3V@1A;反向电流(Ir):5uA@100V;反向恢复时间(trr):150ns;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PS204S | Chongqing Pingwei Technology (Group) Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):2.5A;正向压降(Vf):1V@2.5A;反向电流(Ir):5uA@1kV; | 获取价格 | ||
| SSP7615-33M5R | Siproin | 输出类型：固定 输出极性：正 输出通道数：1 最大输入电压：7V 输出电压：1.2V~5V 静态电流(地电流)：0.5μA 输出电流：400mA 0.5uA超低静态功耗,400mA电流输出稳压LDO | 获取价格 | ||
| JCS6N70VC-IPAK | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):120W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.6Ω@10V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| VBFB1203M | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):96W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):270mΩ@10V,8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| HSP0048 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):188W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,13.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| FDP083N15A-F102 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):83A;功率(Pd):294W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.3mΩ@10V,75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| BR13N50 | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):13A;功率(Pd):195W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):480mΩ@10V,6.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| HP60N75 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):70V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):120W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):18mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| UF740L-TA3-T | Unisonic Technology Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):400V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):550mΩ@10V,5.2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| RU8590R | Shenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):90A;功率(Pd):188W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,45A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| JCS650C-220C | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):28A;功率(Pd):158W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@10V,14A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| SE80100GA | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| KIA75NF75 | KIA | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):240W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| 12N60L-TF2-T | Unisonic Technology Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):51W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ@10V,6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| IRF9Z34N | Infineon Technologies | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):19A;功率(Pd):68W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| IRFBC40PBF | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):6.2A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.2Ω@10V,3.7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| FQP33N10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):33A;功率(Pd):127W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):52mΩ@10V,16.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 |
