找到“TL088ID”相关的规格书共11,905个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFR310TRPBF-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4.5A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.8Ω@10V,4.5A; | 获取价格 | ||
| IRFL024NTRPBF-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):4.5A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):76mΩ@10V,4.5A; | 获取价格 | ||
| AOD464P | Guangdong Field Effect Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):105V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):80W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):45mΩ; | 获取价格 | ||
| CMB5972A | Guangdong Field Effect Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):70V;连续漏极电流(Id):90A;功率(Pd):200W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V; | 获取价格 | ||
| CMB18N20A | Guangdong Field Effect Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):18A;功率(Pd):100W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ; | 获取价格 | ||
| CMB180N06 | Guangdong Field Effect Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):180A;功率(Pd):250W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V; | 获取价格 | ||
| SUD06N10-225L-E3-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):15A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):114mΩ@10V,15A; | 获取价格 | ||
| 7N20-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):10A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):245mΩ@10V,10A; | 获取价格 | ||
| IRF3205STRPBF-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):100A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,100A; | 获取价格 | ||
| SL05N06A | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 类型:N;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):1.2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):120mΩ@20V,5A; | 获取价格 | ||
| SL100N03 | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 类型:N;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):54W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@20V,100A; | 获取价格 | ||
| ASDM540G-R | Ascend Frequency Devices | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):33A;功率(Pd):70W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):31mΩ@10V,12A; | 获取价格 | ||
| PSMN7R6-100BSEJ | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):75A;功率(Pd):296W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.6mΩ@25A,10V; | 获取价格 | ||
| TDM3432 | TECHCODE | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):25A;功率(Pd):2.7W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.4mΩ@10V,25A; | 获取价格 | ||
| SE8090G | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):90A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,40A; | 获取价格 | ||
| FDB8832 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.9mΩ@10V,80A; | 获取价格 | ||
| FS3407 | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):4.1A;功率(Pd):1.67W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):48mΩ@10V,4.1A; | 获取价格 | ||
| NP2301BVR-G | Shanghai Natlinear Electronics Co.,Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2.4A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):86mΩ@4.5V,2A; | 获取价格 | ||
| NP2300MR-Y-G | Shanghai Natlinear Electronics Co.,Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):24mΩ@4.5V,5A; | 获取价格 | ||
| KY3400 | Shenzhen Hanjingyuan Electronics Co., Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):5.8A;功率(Pd):350mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):21mΩ@10V,5A; | 获取价格 |
