找到“TL287ID”相关的规格书共13,883个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| KNP9120A | KIA | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):40A;功率(Pd):125mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| IRF820PBF | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):2.5A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3Ω@10V,1.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| UT100N03L-TA3-T | Unisonic Technology Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):100W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.3mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| JCS3205CH-220C | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):110A;功率(Pd):200W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| SE100130GA | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):176W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| HY1720P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):64A;功率(Pd):263W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):32mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA; | 获取价格 | ||
| HY4504P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):250A;功率(Pd):288W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@10V,125A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| HY045N10P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):221W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| IPP041N04N G | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):94W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.1mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@45uA; | 获取价格 | ||
| IPP072N10N3 G | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):150W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.2mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@90uA; | 获取价格 | ||
| SE40160A | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):160A;功率(Pd):100W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,16A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| SE60210GA | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):210A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.6mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| SE10060A | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):170W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):17mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| SE80160GA | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):160A;功率(Pd):285W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| GC11N70T | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):11A;功率(Pd):83W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):395mΩ@10V,5.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| FDP52N20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):52A;功率(Pd):357W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):49mΩ@10V,26A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA; | 获取价格 | ||
| NCEP01T11 | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):108A;功率(Pd):160W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| LNC04R035B | Lonten Semiconductor Co.,Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):150W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@4.5V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| SMIRF12N65T1TL | Sourcechips | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| TPA80R300C | Wuxi Unigroup Microelectronics Co. Ltd. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 |
