找到“TLV2442ID”相关的规格书共8,844个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| NTD24N06LT4G-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):35A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@10V,35A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| IRLR3110ZPBF-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):85A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,85A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| SUD50P06-15L-GE3-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| TPCJ2101 | Tech Public Electronics Co.,Ltd. | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 功率(Pd)：290mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：640pF@8V 反向传输电容(Crss@Vds)：82pF@8V 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| TPDMP2160UW | Tech Public Electronics Co.,Ltd. | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：290mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,2.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：640pF@8V 反向传输电容(Crss@Vds)：82pF@8V 工作温度：+125℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| HM4410-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):13A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,13A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| CEM9956A-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):6.8A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@10V,6.8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| FDPC8014S | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| EFC4K110NUZTDG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:双N沟道(半桥);漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):49nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| IRF9Z34NS-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):35A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):48mΩ@10V,35A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| AOD4185 | Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):40A;功率(Pd):40.3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):19mΩ@10V;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;输入电容(Ciss@Vds):2.525nF; | 获取价格 | ||
| MS5N100FD | MASPOWER | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):1kV;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):68W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5Ω@10V,1.75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@100μA;栅极电荷(Qg@Vgs):42nC;输入电容(Ciss@Vds):1.154nF;反向传输电容(Crss@Vds):21.3pF;工作温度:-55℃~+175℃; | 获取价格 | ||
| AOD417-HXY | Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):40A;功率(Pd):34.7W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;输入电容(Ciss@Vds):1.345nF@15V; | 获取价格 | ||
| VBL165R04 | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.1Ω@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| DMP3099L-7-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):-30V;连续漏极电流(Id):-5.6A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):46mΩ@-10V,-5.6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| 2SJ168-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):500mA;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3Ω@10V,0.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| AP2310N-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| IRLML6401GTRPBF-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):43mΩ@4.5V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| SI2302 2.5A | YONGYUTAI | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2.5A;功率(Pd):900mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@4.5V,2.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):750mV@250uA;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| DMC2038LVT-7-F-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:1个N沟道和1个P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):4.2A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@4.5V,4.2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 |
