找到“UGN3140UA”相关的规格书共5,828个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| JST100N30T2 | JESTEK | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):88W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,24A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| VBE1206 | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):65A;功率(Pd):71W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@2.5V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS7N70A4R-G | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):120W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.15Ω@10V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| 50N06G | Chongqing Pingwei Technology (Group) Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):100W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):17.5mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| TX40N06B | Shenzhen Xindingsheng Technology Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):35A;功率(Pd):250W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@10V,38.8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA; | 获取价格 | ||
| LSG60R380HT | Lonten Semiconductor Co.,Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):11A;功率(Pd):90W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@10V,5.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| CJ3134K KF | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):750mA;功率(Pd):150mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@4.5V,650mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS4N60A7HD | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):30W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| BRD50N06 | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):85W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| AP65SL380DH | APEC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@10V,3.2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA; | 获取价格 | ||
| KND2803A | KIA | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA; | 获取价格 | ||
| PTD3004 | ShenZhen Puolop Electronics co.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):32W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| MM1Z56 | ST(先科) | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):56V;稳压值(范围):52V~60V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):1uA@43V;阻抗(Zzt):180Ω; | 获取价格 | ||
| MMSZ4V7CW | T&C Technology | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):4.7V;稳压值(范围):4.47V~4.94V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):2.7uA@2V;阻抗(Zzt):80Ω; | 获取价格 | ||
| MMSZ5239B | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):9.1V;稳压值(范围):8.65V~9.56V;精度:-;功率:350mW;反向电流(Ir):3uA@7V;阻抗(Zzt):10Ω; | 获取价格 | ||
| BZT52C2V7 | HANGZHOU DONGWO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO. LTD. | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):2.7V;稳压值(范围):2.5V~2.9V;精度:-;功率:350mW;反向电流(Ir):20uA@1V;阻抗(Zzt):100Ω; | 获取价格 | ||
| MM1Z2V4 | JF | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):2.4V;稳压值(范围):2.28V~2.56V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):120uA@1V;阻抗(Zzt):100Ω; | 获取价格 | ||
| MM1Z6V2 | JF | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):6.2V;稳压值(范围):5.8V~6.6V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):1uA@3V;阻抗(Zzt):50Ω; | 获取价格 | ||
| SD05C | MDD辰达半导体 | Bi PD=350W VRWM=5V VBR=6V VC=18V IPP=17A IR=10uA CJ=200PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| P6SMBJ18A_R1_00001 | PANJIT SEMI CONDUCTOR | 极性：单向 反向截止电压(Vrwm)：18V 击穿电压(最小值)：20V 击穿电压(最大值)：22.1V 反向漏电流(Ir)：1uA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs：20.5A 最大钳位电压：29.2V | 获取价格 |
