找到“VGS-25-XX”相关的规格书共376,084个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| DMZ1511E | ARK Microelectronics Co., Ltd. | MOS管 N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=100mA RDS(ON)=25Ω@50mA SOT23 | 获取价格 | ||
| DMX4022E | ARK Microelectronics Co., Ltd. | MOS管 N-Channel VDS=400V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=25Ω@200mA SOT89 | 获取价格 | ||
| CRTS045N06N | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | MOSFETs N-沟道 VDS=60V VGS=±25V ID=120A RDS(ON)=4.5mΩ@60A,10V TO263 | 获取价格 | ||
| FDMS86163P | ON Semiconductor | MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±25V ID=7.9A RDS(ON)=22mΩ@10V PQFN8_4.9X5.8MM_EP | 获取价格 | ||
| AGM310MA | AGM-SEMI Semiconductor Technology Co., Ltd | MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=30V,-30V VGS=±20V ID=25A,-18A RDS(ON)=15mΩ,34mΩ@4.5V DFN5X6-8 | 获取价格 | ||
| SC8205A | FM | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@10V,5A | 获取价格 | ||
| WSP9926A | Winsok power Semiconductor CO., LTD | MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=7.5A RDS(ON)=25mΩ@10V SOP8_150MIL | 获取价格 | ||
| SI4825DDY-T1-GE3 | Vishay Intertechnology, Inc. | MOSFETs P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=14.9A RDS(ON)=12.5mΩ@10V SOIC8_150MIL | 获取价格 | ||
| BUK765R0-100E,118 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):357W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,25A; | 获取价格 | ||
| BUK764R0-40E,118 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):75A;功率(Pd):182W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@25A,10V; | 获取价格 | ||
| BUK9Y12-100E,115 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):85A;功率(Pd):238W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.5mΩ@5V,25A; | 获取价格 | ||
| BUK965R8-100E,118 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):357W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.8mΩ@25A,5V; | 获取价格 | ||
| BUK764R4-60E,118 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):234W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.23mΩ@10V,25A; | 获取价格 | ||
| BUK9609-40B,118 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):75A;功率(Pd):157W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@25A,10V; | 获取价格 | ||
| NTB60N06G-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):136W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):47nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.65nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):225pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG065N07NS1B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):70V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):52nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.99nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):26pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 15N10 | KUU SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):15W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):131mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):15.5nC@30V;输入电容(Ciss@Vds):690pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):90pF@25V;工作温度:+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HB100N08(CEE) | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):82V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):147W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):115nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):5.053nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):145pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| CR7N65A4K | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):108W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.2Ω@10V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):24nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.08nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):3.2pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SVF840F | Silan | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):49W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):680mΩ@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):14.7nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):904pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):2.69pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 |
