找到“VGS-25-XX”相关的规格书共376,084个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| BUK9606-55A,118 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):75A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.8mΩ@25A,10V; | 获取价格 | ||
| BUK762R6-60E,118 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):324W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.6mΩ@25A,10V; | 获取价格 | ||
| FDMS3602S | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:-;漏源电压(Vdss):25V;连续漏极电流(Id):15A；26A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.6mΩ@15A,10V; | 获取价格 | ||
| HSH6115 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):45A;功率(Pd):86.8W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@10V,18A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):25nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):3.635nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):141pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG060N08NS1B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):105A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):48nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.95nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):60pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KNB2910B | KIA | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):130A;功率(Pd):211W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,35A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):160nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):7.95nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):380pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| LNG07R085H | Lonten Semiconductor Co.,Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):70V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):78W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.2mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):65.4nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.57nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):197pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG090N06LS1P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.1mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.9V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):20.3nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.002nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):32pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SVF2N60RDTR | Silan | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):34W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.7Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):8.92nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):250pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):2.7pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG020N04NA1P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):220A;功率(Pd):200W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.8mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.7V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):134.2nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):5.755nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):650pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG032N03LR1C1 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):55A;功率(Pd):23W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.3mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):32nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.872nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):277pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG016N04LS1P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):240A;功率(Pd):200mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.4mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.9V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):43.6nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):5.894nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):53pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG060P04LQ1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):65W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):63nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):6.774nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):403pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 6080D | FM | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):128W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA;栅极电荷(Qg@Vgs):75nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3899pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):303pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FHS80N07A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):68V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):110W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):73nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.2nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):270pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| CS4N60FA9R | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):30W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.1Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):14.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):590pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):4pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HD7N50E(BHB) | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):530V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):45W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.05Ω@10V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):15.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):750pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):11.5pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HD40N04(ADE) | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):40A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10.5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.7V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):23.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):944pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):70pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HD60N08(AGF) | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):85W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):13mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):36nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.498nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):80pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BUK7M21-40EX | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):33A;功率(Pd):44W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):17mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):10.7nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):446pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):70pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 |
