找到“ft5526eez”相关的规格书共9,154个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| KTA1668-Y-RTF--P | KEC CORPORATION | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@50mA,2V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| D882H | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):70V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@1A,2V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SB1440 (170-340) | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):170@200mA,2V;特征频率(fT):80MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCX56-16 | GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.3W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):130MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCX53-16 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SD1898 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@500mA,20mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@500mA,3V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCX56-16 BL HD | Guangdong Hottech Co. Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SD2150 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):270@100mA,2V;特征频率(fT):290MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCX53 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SD1898G-Q-AB3-R | Unisonic Technology Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):150mV@500mA,20mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,3V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCX54-16 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):130MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SA966 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):900mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):2V@1.5A,30mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@500mA,2V;特征频率(fT):190MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PN2907ABU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):800mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):20nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.6V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V;特征频率(fT):200MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N4401 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@150mA,15mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,1V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 9015C | ST(先科) | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：450mW 集电极截止电流(Icbo)：50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：650mV@100mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@1mA,5V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：+150℃@(Tj) PNP,Vceo=-45V,Ic=-100mA,hfe=200~600 | 获取价格 | ||
| 8050D(1.5A) | ST(先科) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：1W 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@800mA,80mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@100mA,1V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：+150℃@(Tj) NPN,Vceo=25V,Ic=1.5mA,hfe=160~300 | 获取价格 | ||
| 2SD596 | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：50 700mA,1V 功率(Pd)：200mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：220mV 700mA,70mA 集射极击穿电压(Vceo)：25V 特征频率(fT)：170MHz 工作温度(最大值)：+150℃ (Tj) 集电极电流(Ic)：0.7A 工作温度(最小值)：-55℃ (Tj) 晶体管类型：NPN | 获取价格 | ||
| MMDT3906DW | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 晶体管类型：2个PNP 集电极电流(Ic)：200mA 集射极击穿电压(Vceo)：40V 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V 特征频率(fT)：250MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BC846SF | Nexperia | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：65V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：15nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@100mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：110@2mA,5V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| CSMN9FF-2.5 | L-COM | 优良型D-Sub模制线缆，DB9母头/母头，2.5ft/0.8m - CSMN9FF-2.5 L-com的CSMN系列D-sub 线缆组件价格实惠但性能卓越。整个线缆完全屏蔽，防止电磁干扰/射频干扰导致数据损坏。模制后壳提供了优越的应变消除，而坚固耐用的26 AWG导线可直线连接，有利于兼容性。金属翼形螺丝确保快速和简单的连接。以适度的最低要求提供自定义长度和管脚。 | 获取价格 |
