找到“id9334htb”相关的规格书共8,408个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| CS4N60A4R | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| FQD5P20TM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):3.7A;功率(Pd):2.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.4Ω@10V,1.85A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA; | 获取价格 | ||
| VBE16R02 | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):42W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.4Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| VBE1806 | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):75A;功率(Pd):62.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| LNG04R120 | Lonten Semiconductor Co.,Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):47A;功率(Pd):54W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@4.5V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA; | 获取价格 | ||
| LSG65R380GF | Lonten Semiconductor Co.,Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):11A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@10V,5.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| NTK3134NT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):890mA;功率(Pd):310mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):350mΩ@4.5V,890mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA; | 获取价格 | ||
| SW4N60 | SEMIPOWER TECHNOLOGY CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):147W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.2Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| PD616BA | NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):55A;功率(Pd):38W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| KND3203B | KIA | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):101W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,24A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.3V@250uA; | 获取价格 | ||
| WNM4002-3/TR | KUU SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):300mA;功率(Pd):250mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@4.5V,350mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA; | 获取价格 | ||
| 2SK3019 | T&C Technology | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100mA;功率(Pd):150mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8Ω@4V,10mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@100uA; | 获取价格 | ||
| SSM3J356R,LF | TOSHIBA CORPORATION | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：300mΩ@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@1mA | 获取价格 | ||
| SSM3K37FS,LF | TOSHIBA CORPORATION | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：200mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA | 获取价格 | ||
| SSM3K329R,LF | TOSHIBA CORPORATION | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3.5A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：126mΩ@4V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA | 获取价格 | ||
| SI4835DDY-T1-GE3 | Vishay Intertechnology, Inc. | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：13A 功率(Pd)：5.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：18mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA | 获取价格 | ||
| SPP11N80C3 | Infineon Technologies | N沟道 漏源电压(Vdss)：800V 连续漏极电流(Id)：11A 功率(Pd)：156W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：450mΩ@10V,7.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.9V@680μA | 获取价格 | ||
| SMT12N60 | Shenzhen HuaKe Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):145W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ@10V,6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| SFS06R06PF | ORIENTAL SEMI | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| HFS13N50U | SemiHow Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):13A;功率(Pd):41W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):480mΩ@10V,6.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 |
