找到“mv8733”相关的规格书共6,076个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SA1015-TA | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):150mA;功率(Pd):400mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@100mA,10mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@2mA,6V;特征频率(fT):80MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KSP42BU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@20mA,2mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):25@1mA,10V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| S8550-TA | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@50mA,1V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| A44 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,10V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SA1015 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):150mA;功率(Pd):400mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@100mA,10mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@2mA,6V;特征频率(fT):80MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 9015-C | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):450mW;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,5V;特征频率(fT):190MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| C945-TA | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):150mA;功率(Pd):400mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@100mA,10mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,6V;特征频率(fT):200MHz;工作温度:+125℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC2655-TA | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):900mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SBC847BLT1G | ON Semiconductor | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：225mW 集电极截止电流(Icbo)：15nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@100mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：290@2mA,5V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BC807-40 | Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd. | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：700mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：250@100mA,1V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 8550D(1.5A) | ST(先科) | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：1W 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@800mA,80mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@100mA,1V 特征频率(fT)：120MHz 工作温度：+150℃@(Tj) PNP,Vceo=25V,Ic=1.5mA,hfe=160~300 | 获取价格 | ||
| S9012 | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：500mA 集射极击穿电压(Vceo)：25V 功率(Pd)：300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：120@50mA,1V 特征频率(fT)：150MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| S9018 | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：50mA 集射极击穿电压(Vceo)：15V 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@10mA,1mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：105@1mA,5V 特征频率(fT)：600MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| PMF63UNEX | Nexperia | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.2A 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：57mΩ@4.5V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：3.9nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：289pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：42pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BC807-40LWX | Nexperia | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：700mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：250@100mA,1V 特征频率(fT)：80MHz 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BC807-25LWF | Nexperia | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：700mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@100mA,1V 特征频率(fT)：80MHz 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BCP56-16HX | Nexperia | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：80V 集电极电流(Ic)：1A 功率(Pd)：725mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,2V 特征频率(fT)：155MHz 工作温度：+175℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BC846A | Guangdong Hottech Co. Ltd. | NPN 集射极击穿电压(Vceo)：65V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@100mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：110@2mA,5V 特征频率(fT)：100MHz 档位：110-220 | 获取价格 | ||
| MMBTA06WT1G | ON Semiconductor | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：80V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：150mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：250mV@100mA,10mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 2SAR573DFHGTL | Rohm Semiconductor | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):10W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@100mA,3V;特征频率(fT):300MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
