找到“3140UA”相关的规格书共5,804个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| SVF5N65F | Silan | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):30W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.1Ω@10V,2.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):13.63nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):471pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):5.5pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BU406-220C | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):200V;集电极电流(Ic):7A;功率(Pd):60W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.5V@5A,500mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):60@2A,5V;特征频率(fT):10MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| AP2045KD | Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):90A;功率(Pd):87W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.9mΩ@4.5V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):700mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):32nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.8nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):265pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ASDM60N30KQ-R | Ascend Frequency Devices | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):55W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):23mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):25nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.562nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):66.8pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ASDM40N80KQ-R | Ascend Frequency Devices | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):65W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@4.5V,35A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):29nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.027nF@20V;反向传输电容(Crss@Vds):155pF@20V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ASDM100N34KQ-R | Ascend Frequency Devices | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):34A;功率(Pd):63W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):24mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):23nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.5nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):252pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| AP5N20D-H | Taiwan APM Technology Limited By Share Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):46W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):530mΩ@10V,2.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.1V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):18nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):228pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):17pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCE70T1K2K | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):41W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.1Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):8.8nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):304pF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):0.5pF@50V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| QM4002AD-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):55A;功率(Pd):100W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,38.8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):42nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.801nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):570pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N4920G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):30W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@1A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@500mA,1V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SB1440 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@200mA,2V;特征频率(fT):80MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCE0106Z | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):15.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):690pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):90pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD4613H-92-FJ | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):500V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@500mA,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):8@1A,5V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| TPNTK3134NT1G | Tech Public Electronics Co.,Ltd. | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：950mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：200mΩ@4.5V,550mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：650mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：1.15nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：50pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：8pF@10V 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| PMF250XNEX | Nexperia | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：1A 功率(Pd)：275mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：212mΩ@4.5V,900mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：1.05nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：81pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：8.5pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| HYG050N08NS1B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):130A;功率(Pd):187.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):68nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.28nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):25pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3060K | FM | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):65W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):35nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.45nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):185pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FHP3205C | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):110A;功率(Pd):210W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.2mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):146nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.247nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):211pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| CS8N60A8H | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):110W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):29nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.253nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):15pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ATM1205PSI | Agertech | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):12V;连续漏极电流(Id):1.7A;功率(Pd):470mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):75mΩ@4.5V,1.7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):750mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):8.7nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):618pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):134pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 |
