找到“3140UA”相关的规格书共5,804个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| JMTL3407A | JieJie Microelectronics Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):4.1A;功率(Pd):1.51W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):42mΩ@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):6.8nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):580pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):74pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| CJL2013 | Rubycon Corporation | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12.2mΩ@4.5V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):700mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):16nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):935pF@8V;反向传输电容(Crss@Vds):145pF@8V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HSW6800 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):32mΩ@4.5V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):900mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):9.5nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):880pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):73pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HSU28N15 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):115W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):40nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):3.755nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):160pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ME10N15 | MATSUKI | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):7.6A;功率(Pd):32.1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):285mΩ@10V,7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):17.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):538pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):21pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ME60N04 | MATSUKI | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):39A;功率(Pd):30W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.9V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):31nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.24nF@20V;反向传输电容(Crss@Vds):60pF@20V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG067N07NQ1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):68V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):93W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.8mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.2V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):110nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):7.089nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):139pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HD100N02 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):87W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.9mΩ@4.5V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):700mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):32nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):2.8nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):265pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCE30H12K-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):250W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.31mΩ@10V,38.8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):81.5nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):6.201nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):970pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NIF9N05CL-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):4.5A;功率(Pd):4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):76mΩ@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):10nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):810pF@30V;反向传输电容(Crss@Vds):100pF@30V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCE70T900I | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):46W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):820mΩ@10V,2.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):10.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):370pF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):0.5pF@50V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MP13N50 | MINOS | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):13A;功率(Pd):60W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):340mΩ@10V,6.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.1V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):40nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.315nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):11pF@25V;工作温度:+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HY3712P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):125V;连续漏极电流(Id):170A;功率(Pd):339W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.3mΩ@10V,85A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):189nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):8.162nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):509pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG023N04LS1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.9V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):27.4nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.032nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):45pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCE1570 | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):310W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):148.4nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):6.644nF@75V;反向传输电容(Crss@Vds):178pF@75V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCE65TF130 | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):28A;功率(Pd):260W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V,14A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):37.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.07nF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):-;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SVF10N80F | Silan | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):62W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):920mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):33nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.626nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):6.5pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC2073 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):150V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.5V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@500mA,10V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SM420R65CT2TL | Sourcechips | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):11A;功率(Pd):31W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):420mΩ@10V,5.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):39nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):680pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):7pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCE30H11K | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):110A;功率(Pd):120W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.2mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):70nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.987nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):368pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 |
