| WL2803E30-5/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 超低功耗，500mA, CMOS LDO | | | 获取价格 |
| WL2810D10-4/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 低噪声，高PSRR，高速，CMOS LDO | | | 获取价格 |
| WL2863E28-5/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 超低噪音，高PSRR LDO，用于射频和模拟电路的250mA线性稳压器 | | | 获取价格 |
| SPD9112W-2/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 1线，双向，低电容
瞬态电压抑制 | | | 获取价格 |
| WL2803E33-5/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 超低压降，500mA，CMOS LDO | | | 获取价格 |
| WSB5557Z-2/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 肖特基二极管 Single VR=30V IF=0.1A DFN0603-2L | | | 获取价格 |
| WNM6001-3/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=500mA | | | 获取价格 |
| WPM2019-3/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 功率(Pd)：220mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：900mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：810mΩ 4.5V,450mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 类型：P沟道 | | | 获取价格 |
| WNM2016-3/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=2.9A | | | 获取价格 |
| ESD5431N-2/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 3.3V | | | 获取价格 |
| WAS7227Q-10/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | USB高速(480Mbps)， DPDT模拟开关 | | | 获取价格 |
| ESDA6V8AV6-6/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | ESD保护 VBR(Min)=6.2V VC=14.4V IPP=1.6A Ppp=20W SOT563 | | | 获取价格 |
| ESD5302F-3/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | ESD抑制器/TVS二极管 SOT23 20V 4A | | | 获取价格 |
| ESD5311N-2/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 5V | | | 获取价格 |
| ESD5451X-2/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 5V | | | 获取价格 |
| ESD5471X-2/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | ESD抑制器/TVS二极管 FBP02C 5V 12V | | | 获取价格 |
| WNM4153-3/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：300mW | | | 获取价格 |
| WNMD2167-6/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):5.7A;功率(Pd):900mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):21mΩ@4.5V,6.3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250μA; | | | 获取价格 |
| WPT2F42-6/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.2W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1A,2V; | | | 获取价格 |
| WPM9435-8/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | MOSFETs SOP8_150MIL P-沟道 VDS=30V ID=5.5A | | | 获取价格 |
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