| SE8831A | SINO-IC | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):6.1A;功率(Pd):700mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):19.5mΩ@4.5V,6.3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA; | | | 获取价格 |
| SEZ52C2V7 | SINO-IC | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):-;稳压值(范围):2.57V~2.84V;精度:-;功率:200mW;反向电流(Ir):75uA@1V;阻抗(Zzt):83Ω; | | | 获取价格 |
| SE6003C | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):1.7W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@10V,3A; | | | 获取价格 |
| SE100130GA | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):176W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| SE40160A | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):160A;功率(Pd):100W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,16A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| SE60210GA | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):210A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.6mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| SE10060A | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):170W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):17mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| SE80160GA | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):160A;功率(Pd):285W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| SEBT3906U | SINO-IC | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):250mW; | | | 获取价格 |
| SED3030M | SINO-IC | | | | 获取价格 |
| LT3010 | SINO-IC | LT3010 | | | 获取价格 |
| SED4060G | SINO-IC | SED4060G | | | 获取价格 |
| SE30P12 | SINO-IC | | | | 获取价格 |
| SE8205A | SINO-IC | SE8205A | | | 获取价格 |
| SESD3Z5C | SINO-IC | SESD3Z5C | | | 获取价格 |
| SE150180G | SINO-IC | MOS管 N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=180A RDS(ON)=5mΩ@10V TO263 | | | 获取价格 |
| SMAJ5.0CA | SINO-IC | | | | 获取价格 |
| SE80160G | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):160A;功率(Pd):285W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| SE20P03 | SINO-IC | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):19A;功率(Pd):30W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V,10A; | | | 获取价格 |
| SE4060GB | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):45V;连续漏极电流(Id):56A;功率(Pd):62.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA; | | | 获取价格 |
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