找到“ID8155B”相关的规格书共8,200个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| FQA46N15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):250W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):33mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):85nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.5nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):100pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDMT80040DC | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):420A;功率(Pd):156W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):0.44mΩ@10V,64A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.7V@250mA;栅极电荷(Qg@Vgs):149nC@0~6V;输入电容(Ciss@Vds):18.65nF@20V;反向传输电容(Crss@Vds):304pF@20V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HD2307 | Jiangsu HD-Frequency Technology Co. , Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):2.7A;功率(Pd):1.1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):73mΩ@10V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):4.1nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):340pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):51pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCE70T360D | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):11.5A;功率(Pd):101W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):330mΩ@10V,7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):19nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):870pF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):1.8pF@50V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCEP058N85D | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):95A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.2mΩ@10V,45A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):67nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.55nF@40V;反向传输电容(Crss@Vds):22pF@40V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCE0224D | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):24A;功率(Pd):150W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):64mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):60nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.2nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):75pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SLD5N65SV | Maplesemi | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):680V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):32W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.2Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):13nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):585pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):2.5pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| AP6N40D | Taiwan APM Technology Limited By Share Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):400V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):32.9W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ@10V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):19nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):700pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):12pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| AP30P10D | Taiwan APM Technology Limited By Share Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):54W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):78mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.7V@250μA;栅极电荷(Qg@Vgs):44.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3029pF@20V;反向传输电容(Crss@Vds):76pF@20V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KIRFR9024NTRTBF | KUU SEMICONDUCTOR | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):8.8A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):75mΩ@10V,5.3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):19nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):570pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):65pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| JCS110N07I | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):70V;连续漏极电流(Id):110A;功率(Pd):208W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):72nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.8nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):330pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| JMTE3002B | JieJie Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):180A;功率(Pd):130W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.95mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):70nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.93nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):566pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BLM04N06-B | SHANGHAI BELLING | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):210W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):186nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):8.2nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):680pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG065P03LQ1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):57.7W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.9mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):76nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.595nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):446pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ATM3404NSA | Agertech | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):24mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):6nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):572pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):65pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| DP2301S | DOESHARE | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2.3A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):125mΩ@4.5V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):600mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):5.3nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):177pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):25pF@10V;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MT2300ACTR-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):2.1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@4.5V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):8.8nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):865pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):55pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ASDM3401ZB-R | Ascend Frequency Devices | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):4.2A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):954pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):77pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PJ8205 | Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd. | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):1.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@4.5V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):700mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):9.5nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):550pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):64pF@10V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| P2402CAG-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):2.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):23Ω@10V,5.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):4.2nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):424pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):42pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 |
