找到“INA2143UA”相关的规格书共5,925个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| JMTE3002B | JieJie Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):180A;功率(Pd):130W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.95mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):70nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.93nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):566pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BLM04N06-B | SHANGHAI BELLING | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):210W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):186nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):8.2nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):680pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SA2013-TD-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):1.3W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@2A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@500mA,2V;特征频率(fT):360MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG065P03LQ1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):57.7W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.9mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):76nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.595nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):446pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ATM3404NSA | Agertech | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):24mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):6nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):572pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):65pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| DP2301S | DOESHARE | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2.3A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):125mΩ@4.5V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):600mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):5.3nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):177pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):25pF@10V;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MT2300ACTR-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):2.1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@4.5V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):8.8nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):865pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):55pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ASDM3401ZB-R | Ascend Frequency Devices | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):4.2A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):954pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):77pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PJ8205 | Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd. | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):1.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@4.5V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):700mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):9.5nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):550pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):64pF@10V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| P2402CAG-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):2.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):23Ω@10V,5.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):4.2nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):424pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):42pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 8205S | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 类型:双N沟道(共漏);漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):6.24nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):522.3pF@8V;反向传输电容(Crss@Vds):74.69pF@8V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HSW2N15 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):1.4A;功率(Pd):1.56W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):480mΩ@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):8.3nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):350pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):25pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MS80N03 | Mason semiconductor | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):105W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.7V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):41nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.963nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):221pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| GL50N03A4 | Guanglei Electronic Technology Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):60W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):23nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.8nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):180pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MEE15N10 | MATSUKI | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):19.8A;功率(Pd):62.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V,8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):15.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):314pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):15pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NJVMJD3055T4G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):10A;功率(Pd):20W;集电极截止电流(Icbo):20uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):8V@10A,3.3A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@4A,4V;特征频率(fT):2MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MP70N10 | MINOS | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):200W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):17mΩ@10V,28A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):60nC@0~10V;输入电容(Ciss@Vds):2.7nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):260pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MP18N20 | MINOS | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):18A;功率(Pd):130W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):130mΩ@10V,7.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):23nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.32nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):130pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCEP1520 | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):68W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):59mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):12nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):600pF@75V;反向传输电容(Crss@Vds):10.8pF@75V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCEP1580 | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):210W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10.4mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):44.1nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.2nF@75V;反向传输电容(Crss@Vds):17.9pF@75V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 |
