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2N7002WT1GMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):310mA;功率(Pd):280mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.6Ω@10V,500mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;获取价格
NCEP1545KWUXI NCE POWER CO., Ltd.类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;获取价格
HSU4016HUASHUO SEMICONDUCTOR类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):75A;功率(Pd):52.1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;获取价格
TPD65R600MWuxi Unigroup Microelectronics Co. Ltd.类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;获取价格
BUK9212-55B,118Rubycon Corporation类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;获取价格
IPD50R1K4CEInfineon Technologies类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;获取价格
IPD65R400CEInfineon Technologies类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):15.1A;功率(Pd):118W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):400mΩ@10V,3.2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@320uA;获取价格
TPD65R940CWuxi Unigroup Microelectronics Co. Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):28W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
AP9T16AGH-HFAPEC类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):19.5A;功率(Pd):12.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@4.5V,12A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA;获取价格
SW6N80SEMIPOWER TECHNOLOGY CO.,LTD.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):113.6W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.4Ω@10V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA;获取价格
SM1A23NSUC-TRGSinopower Semiconductor, Inc类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):15A;功率(Pd):44W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@10V,8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;获取价格
JST60N30T2JESTEK类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):1.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;获取价格
CRSD082N10L2Wuxi China Resources Microelectronics Limited类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):78A;功率(Pd):101W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.6mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA;获取价格
IPD60R180P7Infineon Technologies类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):18A;功率(Pd):72W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):180mΩ@10V,5.6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@280uA;获取价格
FQD5N60CTMMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):2.8A;功率(Pd):2.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,1.4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
FDD8782Murata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):25V;连续漏极电流(Id):35A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V,35A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;获取价格
PTD3006ShenZhen Puolop Electronics co.,LTD.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):58W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;获取价格
LNG05R230Lonten Semiconductor Co.,Ltd类型:N沟道;漏源电压(Vdss):50V;连续漏极电流(Id):32A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@4.5V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA;获取价格
LSG60R2K5HTLonten Semiconductor Co.,Ltd类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):1.9A;功率(Pd):18W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,950mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA;获取价格
SM600R65CT9RLSourcechips类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;获取价格