找到“TH1386”相关的规格书共6,488个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| PTY80N06 | ShenZhen Puolop Electronics co.,LTD. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| VIS30023 | WUXI WODAKE SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):183A;功率(Pd):140W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250mA; | 获取价格 | ||
| IPB100N04S4-H2 | Infineon Technologies | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| HY1904D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):72A;功率(Pd):62.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,36A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| ME60N03 | MATSUKI | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):48.5A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| AP9990GH-HF | APEC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA; | 获取价格 | ||
| HD830 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):550V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):3.13W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5Ω@10V,2.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| HSS2300A | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):26mΩ@4.5V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA; | 获取价格 | ||
| PMV280ENEA | Rubycon Corporation | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| CPH3351-TL-W | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):1.8A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):250mΩ@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.6V@1mA; | 获取价格 | ||
| LPM2302B3F | LowPower Semiconductor | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):3.5A;功率(Pd):1.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@4.5V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA; | 获取价格 | ||
| LPSC2301 | Lonten Semiconductor Co.,Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):780mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@4.5V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA; | 获取价格 | ||
| TF3407 | Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):4.1A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):75mΩ@4.5V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| BVSS123LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| PMN40ENAX | Rubycon Corporation | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| SE8810A(ESD) | SINO-IC | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):1.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@4.5V,7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA; | 获取价格 | ||
| NTGD4167CT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| WPM2037-6/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):3.1A;功率(Pd):800mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):61mΩ@4.5V,3.2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA; | 获取价格 | ||
| KI8205T | GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD | 类型:双N沟道(共漏);漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):4.3A;功率(Pd):1.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):46mΩ@2.5V,3.4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250μA; | 获取价格 | ||
| G1NP02ELL | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 |
