找到“TLV2442ID”相关的规格书共8,844个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| HY3312B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):125V;连续漏极电流(Id):130A;功率(Pd):278W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,65A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| HYG035N10NS2B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| ES15N10G | ElecSuper | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):15A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@10V,15.0A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.7V@250uA; | 获取价格 | ||
| FHS150N1F4A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| IPB530N15N3 G | Infineon Technologies | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| SE80160G | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):160A;功率(Pd):285W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| FHS110N8F5A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):157W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CRSS046N08N | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):189W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.6mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| VBL2309 | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):75A;功率(Pd):250W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| VBL165R18 | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):18A;功率(Pd):208W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):360mΩ@10V,11A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| LSGE10R042 | Lonten Semiconductor Co.,Ltd | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| LSE55R140GT | Lonten Semiconductor Co.,Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):550V;连续漏极电流(Id):23A;功率(Pd):205W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):140mΩ@10V,11.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| IPB80N06S2L-07 | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):210W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.7mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@150uA; | 获取价格 | ||
| ME15N10-G | MATSUKI | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):14.7A;功率(Pd):34.7W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@10V,8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| SPD04N80C3 | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):63W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.3Ω@10V,2.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.9V@240uA; | 获取价格 | ||
| ME12P04 | MATSUKI | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):18.6A;功率(Pd):25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):45mΩ@10V,12A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| 630A-252 | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):9A;功率(Pd):83W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):250mΩ@10V,4.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| SE4060GB | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):45V;连续漏极电流(Id):56A;功率(Pd):62.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA; | 获取价格 | ||
| JSM3401 | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| IRLML2502 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):3.6A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@4.5V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA; | 获取价格 |
