找到“TLV2442ID”相关的规格书共8,844个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| WNM4002-3/TR | KUU SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):300mA;功率(Pd):250mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@4.5V,350mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA; | 获取价格 | ||
| 2SK3019 | T&C Technology | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100mA;功率(Pd):150mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8Ω@4V,10mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@100uA; | 获取价格 | ||
| SSM3J356R,LF | TOSHIBA CORPORATION | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：300mΩ@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@1mA | 获取价格 | ||
| SSM3K37FS,LF | TOSHIBA CORPORATION | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：200mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA | 获取价格 | ||
| SSM3K329R,LF | TOSHIBA CORPORATION | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3.5A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：126mΩ@4V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA | 获取价格 | ||
| SI4835DDY-T1-GE3 | Vishay Intertechnology, Inc. | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：13A 功率(Pd)：5.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：18mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA | 获取价格 | ||
| SPP11N80C3 | Infineon Technologies | N沟道 漏源电压(Vdss)：800V 连续漏极电流(Id)：11A 功率(Pd)：156W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：450mΩ@10V,7.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.9V@680μA | 获取价格 | ||
| SMT12N60 | Shenzhen HuaKe Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):145W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ@10V,6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| SFS06R06PF | ORIENTAL SEMI | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| HFS13N50U | SemiHow Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):13A;功率(Pd):41W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):480mΩ@10V,6.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| HFS5N60U | SemiHow Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):4.5A;功率(Pd):44W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,2.25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| HFS10N60U | SemiHow Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):9.5A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ@10V,4.75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| HY1603P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):62A;功率(Pd):36W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,31A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| HY3403P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):140A;功率(Pd):115W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8mΩ@10V,70A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| HYG420N06LR1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| HY1803C2 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):52W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| FHP150N03C | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):26V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| FHD4N65D | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):49W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CEM3128 | CET-MOS Technology Corp. | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):9A;功率(Pd):2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,9A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS4N60A8HD | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 |
