找到“TLV2442ID”相关的规格书共8,844个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| ASDM30P30CTD | Ascend Frequency Devices | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):17W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):15mΩ@10V,9A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):15nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| CEG8205-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N+N沟道;漏源电压(Vdss):25V;连续漏极电流(Id):6.6A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@4.5V,6.6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| FDD5670-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| 2V7002KT1G-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):250mA;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8Ω@10V,0.25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| ESN7401 | ElecSuper | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-29A 功率(Pd)：25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.0mΩ@10V,-29A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.5V@250uA P沟道,-30V,-32A,11.0mΩ@-10V | 获取价格 | ||
| FDT86244 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):2.8A;功率(Pd):2.2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):128mΩ@2.8A,10V;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):7nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):395pF@75V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDN537N | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):6.5A；6.5A;功率(Pd):1.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):23mΩ@6.5A,10V;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):8.4nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):465pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SK3746-1E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):1.5kV;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):110W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):37.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):380pF@30V;反向传输电容(Crss@Vds):40pF@30V;工作温度:+150℃@(Tch); | 获取价格 | ||
| MOT9N50D | MOT | 电压VDSS500V,导通电阻Rds0.72欧，电荷量Qg35nC，电流ID9A | 获取价格 | ||
| MOT5N65D | MOT | 电压VDSS600V,导通电阻Rds2.2欧，电荷量Qg25nC，电流ID5A | 获取价格 | ||
| XP152A12C0MR-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23 | 获取价格 | ||
| CEM4435A-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7A RDS(ON)=24mΩ@4.5V SOIC8_150MIL | 获取价格 | ||
| BRCS2300MA | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | MOSFETs SOT23 N-Channel Vdss=20V Vgss=±10V Id=4.5A Pd=1.4W | 获取价格 | ||
| AKF30N5P0SX | ARK Microelectronics Co., Ltd. | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=59A RDS(ON)=7mΩ@5A,4.5V PDFN3333 | 获取价格 | ||
| 2N7002K | RealChip | MOSFETs N-Channel SOT23-3 Vdss=60V Vgs=±20V Id=300mA Pd=350mW | 获取价格 | ||
| SS84Q | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 肖特基二极管 SMC Vrrm=40V Vrms=2V Id=8A Ifsm=150A Cj=480pF | 获取价格 | ||
| YJL03N06AQ | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | MOSFETs N-Channel SOT23-3 BVdss=60V Vgs=±20V Id=3A Idm=12A Pd=1.2W | 获取价格 | ||
| VB7322 | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.5A RDS(ON)=27mΩ@4.5V TSOP6 | 获取价格 | ||
| YJL3416A | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=7A RDS(ON)=18mΩ@4.5V SOT23 | 获取价格 | ||
| HGB027N10A | Hunteck Semiconductor | MOSFETs N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=248A RDS(ON)=2.7mΩ@10V TO263-3 | 获取价格 |
