找到“UGN3140UA”相关的规格书共5,828个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1N4751A | Tak Cheong Electronics(Holdings)Co.,Ltd. | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：30V 稳压值(范围)：28.5V~31.5V 精度：±5% 功率：1W 反向电流(Ir)：5uA@22.8V 阻抗(Zzt)：40Ω 30V 1W | 获取价格 | ||
| 2N7002 | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA | 获取价格 | ||
| SL2301S | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.4A 功率(Pd)：900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：140mΩ@4.5V,2.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA | 获取价格 | ||
| BZT52C6V2 | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：6.2V 稳压值(范围)：5.8V~6.6V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：1uA@3V 阻抗(Zzt)：50Ω | 获取价格 | ||
| SL3401A | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：50mΩ@10V,4.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@250uA | 获取价格 | ||
| SL2312 | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA | 获取价格 | ||
| SMBJ18A | WPMTEK TECHNOLOGY INCORPORATED CO. | 单向 反向断态电压 V(RWM)：18V 反向漏电流 IR @V(RWM)：1uA 击穿电压 V(BR) @IT：20V 钳位电压（VC@ Ipp）：29.2V 峰值脉冲功率：600W 峰值脉冲电流（Ipp）：20.6A | 获取价格 | ||
| SSM3K15AFS,LF | TOSHIBA CORPORATION | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.6Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA | 获取价格 | ||
| SSM3K15AFU,LF | TOSHIBA CORPORATION | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.6Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA | 获取价格 | ||
| 1N4148W-TP | Micro Commercial Components | 功率：400mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| BAT46GWJ | Nexperia | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：250mA 正向压降(Vf)：710mV@250mA 反向电流(Ir)：2uA@100V | 获取价格 | ||
| US1M-E3--61T | Vishay Intertechnology, Inc. | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.7V@1A 反向电流(Ir)：10uA@1kV 反向恢复时间(trr)：75ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| MSS1P4-M3--89A | Vishay Intertechnology, Inc. | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：480mV@1A 反向电流(Ir)：200uA@40V | 获取价格 | ||
| 2CZ4007 | Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.1V@1A 反向电流(Ir)：5uA@1kV 1000V,1A,VF=1.1V@1A | 获取价格 | ||
| SSM3K35AMFV,L3F | TOSHIBA CORPORATION | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.1Ω@4.5V,150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@100uA | 获取价格 | ||
| 4953 | Guangdong Hottech Co. Ltd. | 表面贴装型 P 通道 30V 4.9A 48mΩ@10V,5.1A 2W 1.6V@250uA 70pF@15V 2 520pF@15V 12nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SO-8 MOSFETs | 获取价格 | ||
| 1.5KE36CA | Littelfuse Inc. | 极性：单向 反向截止电压(Vrwm)：30.8V 击穿电压(最小值)：34.2V 击穿电压(最大值)：37.8V 反向漏电流(Ir)：1uA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs：30.5A 最大钳位电压：49.9V | 获取价格 | ||
| NTA4001NT1G | ON Semiconductor | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：238mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA | 获取价格 | ||
| ZXMP3A16GTA | Diodes Incorporated | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.4A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：45mΩ@10V,4.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250uA | 获取价格 | ||
| MMSZ3V3T1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：3.3V 稳压值(范围)：3.14V~3.47V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：5uA@1V 阻抗(Zzt)：95Ω | 获取价格 |
