找到“UGN3140UA”相关的规格书共5,828个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| HY3403P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):140A;功率(Pd):115W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8mΩ@10V,70A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| HY1803C2 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):52W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| FHP150N03C | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):26V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| FHD4N65D | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):49W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CEM3128 | CET-MOS Technology Corp. | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):9A;功率(Pd):2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,9A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS4N60A8HD | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS20N65FA9H | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):85W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):500mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS12N65FA9R | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):42W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ@10V,6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS10N80FA9D | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):60W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):900mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS1N60A1H | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):800mA;功率(Pd):3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):15Ω@10V,400mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS6N60FA9H | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):34W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.7Ω@10V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS3205B8 | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):230W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS4N65A3HD | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS4N60A3R | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS460FA9H | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):85W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):300mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS16N06AE-G | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):16A;功率(Pd):3.1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10mΩ@10V,8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| AO5404E-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):700mA;功率(Pd):400mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):270mΩ@4.5V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA; | 获取价格 | ||
| DBL155S | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):1.5A;正向压降(Vf):1V@700mA;反向电流(Ir):5uA@600V;正向浪涌电流(Ifsm):60A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HDL8S | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 直流反向耐压(Vr):800V;平均整流电流(Io):800mA;正向压降(Vf):1V@400mA;反向电流(Ir):5uA@800V;正向浪涌电流(Ifsm):30A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HBR20100-220HF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):780mV@10A;反向电流(Ir):10uA@100V; | 获取价格 |
