找到“UGN3140UA”相关的规格书共5,828个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SB1188 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):32V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):800mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@500mA,3V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| D882 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1A,2V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N7002T-HAF | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):115mA;功率(Pd):150mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,500mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):50pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):5pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD13002B | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):800mA;功率(Pd):900mW;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@200mA,40mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@200mA,10V;特征频率(fT):5MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SD667 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):900mW;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,5V;特征频率(fT):140MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC2655-TA | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):900mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PMF63UNEX | Nexperia | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.2A 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：57mΩ@4.5V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：3.9nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：289pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：42pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| FKBA3006 | FETek Technology Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):81A;功率(Pd):59W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):20nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):2.295nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):210pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG072N08NR1P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):188W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.8mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):68nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.77nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):164pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG065N15NS1B6 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):165A;功率(Pd):375W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,100A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.2V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):96nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):6.646nF@75V;反向传输电容(Crss@Vds):88pF@75V;工作温度:+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG030N03LQ1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):57W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):29.7nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.958nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):292pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG025N04LQ1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):150W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.4mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.7V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):151nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):7.08nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):334pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG035N06LS1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):65V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):183W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):41.7nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):3.687nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):112pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| CS4N70FA9R | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):30W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.55Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):12.7nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):606pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):2.7pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SAR573DFHGTL | Rohm Semiconductor | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):10W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@100mA,3V;特征频率(fT):300MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HD50N06(BAF) | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):120W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):40nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.6nF@20V;反向传输电容(Crss@Vds):90pF@20V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HL20N04 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):38W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):20nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):840pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):60pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HF10N80 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):65W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):83nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.979nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):53pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BSZ058N03LS G | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):71A;功率(Pd):45W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.8mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):11nC@0~4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.8nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):36pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FQPF2N80YDTU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):1.5A;功率(Pd):35W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.9mΩ@10V,750mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):12nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):425pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):5.5pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 |
