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P6KE62CASEMBO ELECTRONICS极性:双向;反向截止电压(Vrwm):53V;击穿电压:58.9V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:7.1A;最大钳位电压:85V;获取价格
P6KE200ALeiditech Electronic极性:单向;反向截止电压(Vrwm):171V;击穿电压:190V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:2.2A;最大钳位电压:274V;获取价格
SPX3819M5-L-2-5(MS)Mason semiconductor超低功耗1.5ua,最高工作电压24v,电流最大500ma,广泛用于各类便携式手持设备,智能穿戴,电子测量仪器,医疗电子等获取价格
SPX3819M5-L-3-3(MS)Mason semiconductor超低功耗1.5ua,最高工作电压24v,电流最大500ma,广泛用于各类便携式手持设备,智能穿戴,电子测量仪器,医疗电子等获取价格
LP5907MFX-3.0/NOPB(MS)Mason semiconductor超低功耗2ua,带EN使能脚,电流最大300ma,广泛用于各类便携式手持设备,平板电脑,智能穿戴,电子测量仪器,医疗电子等获取价格
SPX3819M5-L-3-0(MS)Mason semiconductor超低功耗1.5ua,最高工作电压24v,电流最大500ma,广泛用于各类便携式手持设备,智能穿戴,电子测量仪器,医疗电子等获取价格
LP5907MFX-1.8/NOPB(MS)Mason semiconductor超低功耗2ua,带EN使能脚,电流最大300ma,广泛用于各类便携式手持设备,平板电脑,智能穿戴,电子测量仪器,医疗电子等获取价格
GT30L24M1ZShanghai Gaotong Semiconductor Co., Ltd字符集:GB18030;点阵大小:24x24;时钟频率:120MHz;工作电压:2.7V~3.6V;工作电流:12mA;待机电流:5uA;工作温度:-40℃~+85℃;获取价格
B1D10120FShenzhen BASiC Semiconductor LTD.,二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):30A;正向压降(Vf):1.46V@10A;反向电流(Ir):4.5uA@1.2kV;获取价格
B1D10065FShenzhen BASiC Semiconductor LTD.,二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):32A;正向压降(Vf):1.43V@10A;反向电流(Ir):70uA@650V;获取价格
HY0910DHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):9A;功率(Pd):21W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):143mΩ@10V,4.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;获取价格
HY050N08PHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):105A;功率(Pd):166W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
HY4008PHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):200A;功率(Pd):345W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5mΩ@10V,100A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
HY4004BHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):208A;功率(Pd):217W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.2mΩ@10V,104A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
HY3208APHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):227W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
FHD80N07CGuangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):63V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):59.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,33A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;获取价格
FHS80N08BGuangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):110W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.5mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
FHA150N06CGuangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):290W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.5mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
FHA20N65AGuangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):250W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):400mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
HSPPAD042AALPS ELECTRIC CO., LTD.压力范围:300pa~1100hpa;供电电压:1.7V~3.6V;待机电流:1.8uA;接口类型:I2C;工作温度:-40℃~+85℃;获取价格