找到“VGS-25-XX”相关的规格书共376,084个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| BUK9M5R0-40HX | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):85A;功率(Pd):83W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.9mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.77V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):28nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.879nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):68pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BUK7Y25-40B,115 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):35.3A;功率(Pd):59.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):12.1nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):520pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):83pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BUK9M6R0-40HX | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):70W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.9mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.77V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):26nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.764nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):66pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FQPF5P20RDTU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):3.4A;功率(Pd):38W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.1Ω@10V,1.7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):10nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):330pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):12pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FQU11P06TU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):9.4A;功率(Pd):38W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,4.7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):13nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):420pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):45pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDB082N15A | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):117A;功率(Pd):298W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.7mΩ@10V,75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):64.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.645nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):100pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCE0224D | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):24A;功率(Pd):150W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):64mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):60nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.2nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):75pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SLD5N65SV | Maplesemi | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):680V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):32W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.2Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):13nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):585pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):2.5pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| AP6N40D | Taiwan APM Technology Limited By Share Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):400V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):32.9W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ@10V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):19nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):700pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):12pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KIRFR9024NTRTBF | KUU SEMICONDUCTOR | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):8.8A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):75mΩ@10V,5.3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):19nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):570pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):65pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| JCS110N07I | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):70V;连续漏极电流(Id):110A;功率(Pd):208W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):72nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.8nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):330pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BLM04N06-B | SHANGHAI BELLING | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):210W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):186nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):8.2nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):680pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MP70N10 | MINOS | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):200W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):17mΩ@10V,28A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):60nC@0~10V;输入电容(Ciss@Vds):2.7nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):260pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MP18N20 | MINOS | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):18A;功率(Pd):130W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):130mΩ@10V,7.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):23nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.32nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):130pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SVF5N65F | Silan | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):30W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.1Ω@10V,2.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):13.63nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):471pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):5.5pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ASDM100N34KQ-R | Ascend Frequency Devices | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):34A;功率(Pd):63W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):24mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):23nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.5nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):252pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| AP5N20D-H | Taiwan APM Technology Limited By Share Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):46W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):530mΩ@10V,2.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.1V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):18nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):228pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):17pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCE0106Z | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):15.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):690pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):90pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FHP3205C | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):110A;功率(Pd):210W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.2mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):146nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.247nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):211pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| CS8N60A8H | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):110W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):29nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.253nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):15pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
