找到“VGS-25-XX”相关的规格书共376,084个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| HY3712P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):125V;连续漏极电流(Id):170A;功率(Pd):339W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.3mΩ@10V,85A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):189nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):8.162nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):509pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG023N04LS1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.9V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):27.4nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.032nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):45pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SVF10N80F | Silan | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):62W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):920mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):33nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.626nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):6.5pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SM420R65CT2TL | Sourcechips | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):11A;功率(Pd):31W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):420mΩ@10V,5.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):39nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):680pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):7pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ASDM30N75KQ-R | Ascend Frequency Devices | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):75A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.8mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):11.1nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.56nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):178pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NT2955G-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):34W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):61mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):10nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):100pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SMIRF4N65T9RL | Sourcechips | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):13.7nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):610pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):7pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N7002T-HAF | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):115mA;功率(Pd):150mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,500mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):50pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):5pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG072N08NR1P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):188W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.8mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):68nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.77nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):164pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG030N03LQ1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):57W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):29.7nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.958nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):292pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG025N04LQ1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):150W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.4mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.7V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):151nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):7.08nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):334pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG035N06LS1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):65V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):183W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):41.7nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):3.687nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):112pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| CS4N70FA9R | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):30W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.55Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):12.7nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):606pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):2.7pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HL20N04 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):38W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):20nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):840pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):60pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HF10N80 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):65W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):83nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.979nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):53pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BUK7Y43-60EX | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):22A;功率(Pd):45W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):29.8mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):10.4nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):463pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):66pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BUK7K5R1-30E,115 | Rubycon Corporation | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):40A;功率(Pd):68W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.34mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):31.1nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.764nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):242pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BUK9K89-100E,115 | Rubycon Corporation | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):12.5A;功率(Pd):38W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):75.8mΩ@5V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.7V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):16.8nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):831pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):59pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BUK7M15-40HX | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):44W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12.2mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):9.1nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):572pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):28pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BUK92150-55A,118 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):11A;功率(Pd):36W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):97mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):6nC@5V;输入电容(Ciss@Vds):240pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):40pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 |
