找到“ua7908ckter”相关的规格书共5,775个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| SM24C | MDD辰达半导体 | Bi PD=350W VRWM=24V VBR=26.7V VC=52V IPP=7A IR=1uA CJ=50PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| SL3406 | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | N沟道功率MOSFET 30V 5.6A 21mΩ@10V,29A 1.2W 1.5V@250uA 68pF@15V N Channel 490pF@15V 5.2nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3 | 获取价格 | ||
| YJL3407A | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | P沟道增强型场效应晶体管 30V 4.1A 55mΩ@10V,4.1A 1.2W 2.4V@250uA P Channel SOT-23 | 获取价格 | ||
| HER207 | Luguang Electronics Technology Co., Ltd. | 2.0安培。玻璃钝化高效整流器-65℃~+150℃@(Tj) IR=5uA@800V IAV=2A VF=1.7V@2A Trr=75ns Single VRRM=800V DO-15 | 获取价格 | ||
| GBLC03C | MDD辰达半导体 | Bi PD=300W VRWM=3V VBR=4V VC=13.9V IPP=8A IR=2uA CJ=0.8PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| ESD3Z3V3BU | MDD辰达半导体 | Bi PD=84W VRWM=3.3V VBR=4.2V VC=21V IPP=4A IR=0.1uA CJ=0.5PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| WPM2031-3/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 功率MOSFET 20V 600mA 495mΩ@4.5V,450mA 360mW 650mV@250uA 10.2pF@10V P Channel 74pF@10V 1.67nC@4.5V +150℃@(Tj) SOT-723 | 获取价格 | ||
| 1N4751A | Tak Cheong Electronics(Holdings)Co.,Ltd. | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：30V 稳压值(范围)：28.5V~31.5V 精度：±5% 功率：1W 反向电流(Ir)：5uA@22.8V 阻抗(Zzt)：40Ω 30V 1W | 获取价格 | ||
| 2N7002 | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA | 获取价格 | ||
| SL2301S | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.4A 功率(Pd)：900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：140mΩ@4.5V,2.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA | 获取价格 | ||
| BZT52C6V2 | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：6.2V 稳压值(范围)：5.8V~6.6V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：1uA@3V 阻抗(Zzt)：50Ω | 获取价格 | ||
| SL3401A | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：50mΩ@10V,4.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@250uA | 获取价格 | ||
| SL2312 | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA | 获取价格 | ||
| SMBJ18A | WPMTEK TECHNOLOGY INCORPORATED CO. | 单向 反向断态电压 V(RWM)：18V 反向漏电流 IR @V(RWM)：1uA 击穿电压 V(BR) @IT：20V 钳位电压（VC@ Ipp）：29.2V 峰值脉冲功率：600W 峰值脉冲电流（Ipp）：20.6A | 获取价格 | ||
| SSM3K15AFS,LF | TOSHIBA CORPORATION | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.6Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA | 获取价格 | ||
| SSM3K15AFU,LF | TOSHIBA CORPORATION | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.6Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA | 获取价格 | ||
| 1N4148W-TP | Micro Commercial Components | 功率：400mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| BAT46GWJ | Nexperia | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：250mA 正向压降(Vf)：710mV@250mA 反向电流(Ir)：2uA@100V | 获取价格 | ||
| US1M-E3--61T | Vishay Intertechnology, Inc. | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.7V@1A 反向电流(Ir)：10uA@1kV 反向恢复时间(trr)：75ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| MSS1P4-M3--89A | Vishay Intertechnology, Inc. | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：480mV@1A 反向电流(Ir)：200uA@40V | 获取价格 |
