找到“AD625”相关的规格书共3,223个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| MPSA05RA | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,10mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MPS2222A | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):10nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V;特征频率(fT):300MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N5551 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| S9012-TA | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):144@50mA,1V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N5401-TA | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):150V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):150@10mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MPS2907A | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):10nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):670mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@150mA,10V;特征频率(fT):200MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| A42 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):305V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):250nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@20mA,2mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,10V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KSP2222ATA | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):10nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V;特征频率(fT):300MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC327 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):800mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V;特征频率(fT):260MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N4403BU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):750mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):200MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MPSA56 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,10mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N5401YTA | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):150V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):50uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@10mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC33740TA | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):800mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N3906TFR | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N4401BU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):750mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,1V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| M8050 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):800mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KSP42BU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@20mA,2mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):25@1mA,10V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| S8550-TA | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@50mA,1V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| A44 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,10V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N5551 C | HL | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):150@10mA,5V;特征频率(fT):80MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 |
