找到“ID8155B”相关的规格书共8,200个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| AP60N04D | Taiwan APM Technology Limited By Share Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):34.7W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14.5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):10.7nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.314nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):88pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| AP60P02D | Taiwan APM Technology Limited By Share Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):60W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8Ω@4.5V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):650mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):63nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.6nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):300pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SVF2N60RDTR | Silan | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):34W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.7Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):8.92nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):250pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):2.7pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ASDM6802ZC-R | Ascend Frequency Devices | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):4.5A;功率(Pd):1.2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):33mΩ@10V,4.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):245pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):32pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 50N06 | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):45W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):15mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):19.3nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):2.423nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):97pF@15V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HY029N10P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):270A;功率(Pd):394.7W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.6mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):148.7nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):10.8nF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):37pF@50V;工作温度:+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG020N04NA1P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):220A;功率(Pd):200W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.8mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.7V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):134.2nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):5.755nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):650pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG032N03LR1C1 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):55A;功率(Pd):23W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.3mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):32nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.872nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):277pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG016N04LS1P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):240A;功率(Pd):200mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.4mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.9V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):43.6nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):5.894nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):53pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG060P04LQ1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):65W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):63nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):6.774nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):403pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 6080D | FM | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):128W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA;栅极电荷(Qg@Vgs):75nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3899pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):303pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2301/C | FM | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):17V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):0.65W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):95mΩ@4.5V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):0.6V@250μA;栅极电荷(Qg@Vgs):3nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):332pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):42pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FHS80N07A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):68V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):110W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):73nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.2nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):270pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| CS4N60FA9R | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):30W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.1Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):14.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):590pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):4pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BL9N50-A | SHANGHAI BELLING | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):9A;功率(Pd):48W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):0.6Ω@10V,4.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.8V@250μA;栅极电荷(Qg@Vgs):25nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1330pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):3.5pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ATM2601PSG | Agertech | 类型:2个P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2.8A;功率(Pd):860mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@4.5V,2.8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):3.3nC@2.5V;输入电容(Ciss@Vds):405pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):55pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HD7N50E(BHB) | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):530V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):45W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.05Ω@10V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):15.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):750pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):11.5pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HD40N04(ADE) | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):40A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10.5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.7V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):23.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):944pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):70pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HD60N08(AGF) | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):85W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):13mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):36nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.498nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):80pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BUK7Y2R0-40HX | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):217W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.53mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):52.6nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.633nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):188pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 |
