找到“ID8155B”相关的规格书共8,200个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| NCE70T900I | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):46W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):820mΩ@10V,2.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):10.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):370pF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):0.5pF@50V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MP13N50 | MINOS | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):13A;功率(Pd):60W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):340mΩ@10V,6.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.1V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):40nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.315nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):11pF@25V;工作温度:+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HY3712P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):125V;连续漏极电流(Id):170A;功率(Pd):339W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.3mΩ@10V,85A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):189nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):8.162nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):509pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG023N04LS1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.9V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):27.4nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.032nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):45pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCE1570 | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):310W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):148.4nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):6.644nF@75V;反向传输电容(Crss@Vds):178pF@75V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCE65TF130 | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):28A;功率(Pd):260W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V,14A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):37.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.07nF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):-;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SVF10N80F | Silan | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):62W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):920mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):33nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.626nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):6.5pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SM420R65CT2TL | Sourcechips | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):11A;功率(Pd):31W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):420mΩ@10V,5.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):39nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):680pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):7pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCE30H11K | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):110A;功率(Pd):120W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.2mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):70nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.987nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):368pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ASDM60N50KQ-R | Ascend Frequency Devices | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):62.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):18nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):880pF@30V;反向传输电容(Crss@Vds):16pF@30V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ASDM20N60KQ-R | Ascend Frequency Devices | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):60W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@4.5V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):700mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):18nC@8V;输入电容(Ciss@Vds):980pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):80pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ASDM30N75KQ-R | Ascend Frequency Devices | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):75A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.8mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):11.1nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.56nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):178pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ASDM100N15KQ-R | Ascend Frequency Devices | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):15A;功率(Pd):55W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):95mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):932pF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):21pF@50V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ASDM100R750PKQ-R | Ascend Frequency Devices | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):72W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):75mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):9.7nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.051nF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):25pF@50V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| CJU4828 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):4.5A;功率(Pd):1.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):37mΩ@10V,4.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):5.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):540pF@30V;反向传输电容(Crss@Vds):25pF@30V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| APJ14N65D | Taiwan APM Technology Limited By Share Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):25.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):560mΩ@10V,3.2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):11nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):438pF@100V;反向传输电容(Crss@Vds):1.32pF@100V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| APG12N10D | Taiwan APM Technology Limited By Share Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):17W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):105mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):4.3nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):206.1pF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):1.4pF@50V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| JMTK3004A | JieJie Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):70W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.9mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):30nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.68nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):330pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCE60P20K | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):60W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):46.1nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.485nF@30V;反向传输电容(Crss@Vds):104pF@30V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MTD20N03HDLT4G-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):100W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,21.8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):25nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):2.201nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):370pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 |
