| 1 | 27473C | 47 µH 无屏蔽 绕线 电感器 500 mA 700 毫欧最大 非标准 | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 2 | 2ETYVM-5.08-02P-14-100AH | 接线端子 5.08mm 1x2P 排数:1 每排P数:2 螺丝固定 | 下载 | Tuoyi (Shanghai) industrial control electrical equipment Co., Ltd. |
| 3 | 2N7002K | Type(N)/ESD(Y)/VDS20(V)/VGS10(±V)/VGS(th)1.2(V)/ID6.5(A) | 下载 | KUU SEMICONDUCTOR |
| 4 | 2520-16.00-12-10-10/A | 频率:16MHz;频率公差:±10ppm;负载电容:12pF; | 下载 | LIMING |
| 5 | 2TJ426000UYFBC | 频率:26MHz;频率公差:±10ppm;负载电容:15pF; | 下载 | JYJE |
| 6 | 2A7 | 直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1.5A;正向压降(Vf):1.1V@1.5A; | 下载 | Guangdong Huixin Electronics Technology Co., Ltd. |
| 7 | 2.54-4PLTDK | 间距:2.5mm;插针结构:1x4P;排数:1;每排PIN数:4;公母:公型插针;安装方式:立贴;额定电流:3A;工作温度范围:-25℃~+85℃; | 下载 | Shenzhen Shouhan Science and Technology Co., Ltd. |
| 8 | 2N5770 PBFREE | 通用三极管 NPN Vce=15V Ic=50mA hFE=50~200 TO92 | 下载 | Central |
| 9 | 2N3055T3BL | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):15A;功率(Pd):115W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(... | 下载 | Sourcechips |
| 10 | 2SC5353BL-TN3-R | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):750V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):22W;集电极截止电流(Icbo):100μA;集电极-发射极饱和... | 下载 | Unisonic Technology Co., Ltd. |
| 11 | 2SB766A | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱... | 下载 | Taiwan shike Electronics co.,ltd |
| 12 | 2SC4373 | | 下载 | Rubycon Corporation |
| 13 | 2SA1213 | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱... | 下载 | Rubycon Corporation |
| 14 | 2SD965T | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):500mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):... | 下载 | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. |
| 15 | 2SC5566-TD-E | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):1.3W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 16 | 2SD2391 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱... | 下载 | Rubycon Corporation |
| 17 | 2SD1898Q | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):32V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压... | 下载 | Taiwan shike Electronics co.,ltd |
| 18 | 2SA1417T-TD-E | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100m... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 19 | 2SA1417S-TD-E | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100m... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 20 | 2SB1132 | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):32V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发射极饱和... | 下载 | YONGYUTAI |
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