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找到TMCM-1278以及PD60相关的规格书共90,939
型号厂商描述数据手册替代料参考价格
FDD86540ON SemiconductorMOSFETs N-Channel TO252 Vds=60V Vgs=±20V Id=21.5A Pd=3.1W获取价格
DMN601DWK-7Diodes IncorporatedVDS=60V ID=305mA PD=200mW 2 N-Channel SOT363 MOSFETs ROHS获取价格
STL130N6F7STMOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=130A Pd=125W POWERFLAT 5X6获取价格
STL42P6LLF6STMOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=42A Pd=100W POWERFLAT 5X6获取价格
VBM2610NVBsemi Electronics Co. LtdMOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=20A Pd=2W TO220AB获取价格
BCX55SQ-16Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd.通用三极管 SOT89 NPN VCEO=60V VCE(sat)=0.5V Ic=1A PD=500mW获取价格
2N7002Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):340mA 功率(Pd):350mW获取价格
UT3N06G-AB3-RUnisonic Technology Co., Ltd.MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3A Pd=690mW SOT89获取价格
2N7002KYangjie Electronic Technology Co., Ltd.类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):340mA 功率(Pd):350mW获取价格
2N7002KJSMICRO SEMICONDUCTOR类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):500mA 功率(Pd):350mW获取价格
2N7002WJiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):115mA 功率(Pd):200mW获取价格
UT3N06G-AE3-RUnisonic Technology Co., Ltd.MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3A Pd=350mW SOT23获取价格
2N7002BKVLNexperia类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):350mA 功率(Pd):370mW获取价格
PBSS5160T,215Rubycon Corporation晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):400mW;获取价格
KTC4378Rubycon Corporation晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;获取价格
BR2N7002K2Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd.MOSFETs SOT23 N-Channel Vdss=60V Id=300mA Vgss=±20V Pd=350mW获取价格
2N7002BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd.MOSFETs Vds=60V,Id=200mA,Pd=225mW, SOT23 N-Channel获取价格
CT2907AMCoretong通用三极管 VCEO=60V IC=600mA PD=225mW SOT23-3获取价格
2N7002TON Semiconductor类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):115mA 功率(Pd):150mW获取价格
2N7002YONGYUTAI类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):115mA 功率(Pd):225mW获取价格