找到“TH1386”相关的规格书共6,488个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| WSR30N65C | Winsok power Semiconductor CO., LTD | Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 650 VGS(V) 30 ID(A)Max. 28 VGS(th)(v) 3 RDS(ON)(m?)@4.512V - Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) 13 Qgd(nC) 11.5 Ciss(pF) 2070 Coss(pF) 120 Crss(pF) 0.5 | 获取价格 | ||
| HSP0048 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):188W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,13.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| PTP11N08A | Perfect Intelligent Power Semiconductor Company | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| IPP60R180P7 | Infineon Technologies | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| IPA80R1K4P7 | Infineon Technologies | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| FDP083N15A-F102 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):83A;功率(Pd):294W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.3mΩ@10V,75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| BR13N50 | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):13A;功率(Pd):195W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):480mΩ@10V,6.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| HP60N75 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):70V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):120W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):18mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| UF740L-TA3-T | Unisonic Technology Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):400V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):550mΩ@10V,5.2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| RU8590R | Shenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):90A;功率(Pd):188W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,45A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| JCS650C-220C | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):28A;功率(Pd):158W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@10V,14A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| SE80100GA | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| KIA75NF75 | KIA | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):240W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| 12N60L-TF2-T | Unisonic Technology Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):51W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ@10V,6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| IRF9Z34N | Infineon Technologies | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):19A;功率(Pd):68W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| IRFBC40PBF | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):6.2A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.2Ω@10V,3.7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| FQP33N10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):33A;功率(Pd):127W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):52mΩ@10V,16.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| 8070.0 | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):88A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| SPP21N50C3 | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):21A;功率(Pd):208W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):190mΩ@10V,13.1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.9V@1mA; | 获取价格 | ||
| FDP39N20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):39A;功率(Pd):251W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):66mΩ@10V,19.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA; | 获取价格 |
