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| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF640NSPBF-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):20A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@10V,20A; | 获取价格 | ||
| IRFR014TRPBF-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):18.2A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):73mΩ@10V,18.2A; | 获取价格 | ||
| IRFR9024N | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：8.8A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：75mΩ@10V,5.3A | 获取价格 | ||
| CMD150P03 | Guangdong Field Effect Semiconductor Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):130W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V; | 获取价格 | ||
| FCD2250N80Z | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):2.6A;功率(Pd):39W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.25Ω@1.3A,10V; | 获取价格 | ||
| FIR15N10LG-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):15A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):114mΩ@10V,15A; | 获取价格 | ||
| CMD100N03 | Guangdong Field Effect Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):100W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5mΩ; | 获取价格 | ||
| CMD30N06AL | Guangdong Field Effect Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):40W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ; | 获取价格 | ||
| CMD2922A | Guangdong Field Effect Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):18A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ; | 获取价格 | ||
| CMB50N10 | Guangdong Field Effect Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):100W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):17mΩ; | 获取价格 | ||
| CMD100N68K | Guangdong Field Effect Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):68V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):170W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V; | 获取价格 | ||
| IRFR3708TRPBF-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,80A; | 获取价格 | ||
| 20P03-HXY | Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):29W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):39mΩ@10V,15A; | 获取价格 | ||
| 20N06HD-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):35A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@10V,35A; | 获取价格 | ||
| ME85P03-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,80A; | 获取价格 | ||
| CMD50P06-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,50A; | 获取价格 | ||
| SL10N10A | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 类型:N;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):3.1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):120mΩ@20V,10A; | 获取价格 | ||
| 50N06 | KUU SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):225mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):21mΩ@10V,20A; | 获取价格 | ||
| JMTK060N06A | JieJie Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):181W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5mΩ@10V,30A; | 获取价格 | ||
| PSMN3R7-100BSEJ | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):405W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.95mΩ@25A,10V; | 获取价格 |
