找到“TSM102ID”相关的规格书共31,361个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| TSP8N60M | Shenzhen Truesemi Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):7.5A;功率(Pd):152W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.2Ω@10V,3.75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| TTP120N04AT | Wuxi Unigroup Microelectronics Co. Ltd. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| BSS816NWH6327 | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):1.4A;功率(Pd):500mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):160mΩ@2.5V,1.4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):750mV@3.7uA; | 获取价格 | ||
| CJ3134KW | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):750mA;功率(Pd):200mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@4.5V,650mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA; | 获取价格 | ||
| HSU3006 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):53W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| HSU60N02 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):60W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@4.5V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA; | 获取价格 | ||
| PA410BD | NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| AOD240-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):59A;功率(Pd):3.13W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.4mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| SMD4N65 | Shenzhen HuaKe Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):51W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.6Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| SM2F04NSUC-TRG | Sinopower Semiconductor, Inc | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| IPD60R650CE | Infineon Technologies | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| FQD13N10TM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):40W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):180mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| TPD50R400C | Wuxi Unigroup Microelectronics Co. Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):63W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):400mΩ@10V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| AS0130KA | Anbon Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):85W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):32mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| JST100N30T2 | JESTEK | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):88W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,24A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| VBE1206 | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):65A;功率(Pd):71W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@2.5V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS7N70A4R-G | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):120W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.15Ω@10V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| 50N06G | Chongqing Pingwei Technology (Group) Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):100W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):17.5mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| TX40N06B | Shenzhen Xindingsheng Technology Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):35A;功率(Pd):250W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@10V,38.8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA; | 获取价格 | ||
| LSG60R380HT | Lonten Semiconductor Co.,Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):11A;功率(Pd):90W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@10V,5.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 |
