找到“UGN3140UA”相关的规格书共5,828个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| NTB60N06G-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):136W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):47nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.65nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):225pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCE60H15AD | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):220W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.1mΩ@10V,75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):130.8nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):5.451nF@30V;反向传输电容(Crss@Vds):488pF@30V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG065N07NS1B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):70V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):52nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.99nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):26pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HSH250N10 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):250A;功率(Pd):411W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.9mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):195nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):10.15nF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):55pF@50V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 15N10 | KUU SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):15W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):131mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):15.5nC@30V;输入电容(Ciss@Vds):690pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):90pF@25V;工作温度:+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HB100N08(CEE) | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):82V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):147W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):115nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):5.053nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):145pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| B772M | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.25W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1A,2V;特征频率(fT):80MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SD1760 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,3V;特征频率(fT):90MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SD1802 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,2V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| CR7N65A4K | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):108W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.2Ω@10V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):24nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.08nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):3.2pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| DP3415 | DOESHARE | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):1.3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@4.5V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):670mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):7.2nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):940pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):116pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| AP5N10BI | Taiwan APM Technology Limited By Share Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):3.1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):105mΩ@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.7V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):3.57nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):182pF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):3.6pF@50V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MMBF170LT1G-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):250mA;功率(Pd):300mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8Ω@10V,200mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):400pC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):25pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):2pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC3356-R25 | GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):12V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):125@20mA,10V;特征频率(fT):7GHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HT2301ARTZ | HTCSEMI | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):3.5A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):64mΩ@4.5V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):700mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):3.3nC@2.5V;输入电容(Ciss@Vds):405pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):55pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 8205A | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 类型:双N沟道(共漏);漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@4.5V,4.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):6.24nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):522.3pF@8V;反向传输电容(Crss@Vds):74.69pF@8V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCE0125AK | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):25A;功率(Pd):70W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):70.4nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3nF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):18.3pF@50V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KCD3008A | KIA | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):85W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):65nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.03nF@40V;反向传输电容(Crss@Vds):35pF@40V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KSC2383YTA | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):900mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.5V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@500mA,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| AP50N06Y | Taiwan APM Technology Limited By Share Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):45W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):19.3nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):2.423nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):97pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 |
