找到“VGS-25-XX”相关的规格书共376,084个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| KY2302S | Shenzhen Hanjingyuan Electronics Co., Ltd | 类型：20V 2A N-Channel Mosfet● RDS(ON) ≤ 80m ( 53m Typ.)@VGS=4.5V ● RDS(ON) ≤ 115m ( 72m Typ.)@VGS=2.5V● Load Switch for Portable Devices● DC/DC Converter | 获取价格 | ||
| HSS2300A | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):26mΩ@4.5V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA; | 获取价格 | ||
| CPH3351-TL-W | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):1.8A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):250mΩ@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.6V@1mA; | 获取价格 | ||
| LPM2302B3F | LowPower Semiconductor | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):3.5A;功率(Pd):1.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@4.5V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA; | 获取价格 | ||
| LPSC2301 | Lonten Semiconductor Co.,Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):780mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@4.5V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA; | 获取价格 | ||
| TF3407 | Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):4.1A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):75mΩ@4.5V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| SE8810A(ESD) | SINO-IC | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):1.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@4.5V,7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA; | 获取价格 | ||
| WPM2037-6/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):3.1A;功率(Pd):800mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):61mΩ@4.5V,3.2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA; | 获取价格 | ||
| KI8205T | GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD | 类型:双N沟道(共漏);漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):4.3A;功率(Pd):1.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):46mΩ@2.5V,3.4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250μA; | 获取价格 | ||
| HSW6811 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:2个P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):130mΩ@4.5V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA; | 获取价格 | ||
| WSF3410 | Winsok power Semiconductor CO., LTD | Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 100 VGS(V) 20 ID(A)Max. 15 VGS(th)(v) 2 RDS(ON)(m?)@4.390V 115 Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) 4.9 Qgd(nC) 5.8 Ciss(pF) 940 Coss(pF) 80 Crss(pF) 50 | 获取价格 | ||
| JCS4N65VC-IPAK | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):122W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.6Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CRTT084NE6N | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):68V;连续漏极电流(Id):81A;功率(Pd):111W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.4mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| HSP6016 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):86.8W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| NCE30H15 | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):130W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| AP9963GP | APEC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):104W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| 2N60L-TA3-T | Unisonic Technology Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):54W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| FQP6N90C | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):900V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):167W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3Ω@10V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA; | 获取价格 | ||
| 8680A | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):92A;功率(Pd):139W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.8mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CEP80N15 | CET-MOS Technology Corp. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):76A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):19mΩ@10V,35A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 |
