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PTD3004ShenZhen Puolop Electronics co.,LTD.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):32W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;获取价格
PMGD780SN,115Nexperia类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):490mA 功率(Pd):410mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):920mΩ@10V,300mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA获取价格
PMGD290XN,115Nexperia类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):860mA 功率(Pd):410mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):350mΩ@4.5V,200mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA获取价格
BLM3407SHANGHAI BELLING沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.1A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@10V,4.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA获取价格
BLM8205SHANGHAI BELLING2个N沟道 漏源电压(Vdss):19.5V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):27mΩ@4.5V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250μA N沟道,19.5V,4A获取价格
2N7002Luguang Electronics Technology Co., Ltd.N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):115mA 功率(Pd):200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250μA获取价格
SL2301SLKORMICRO Electronics Co., Ltd类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.8A 功率(Pd):400mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):112mΩ@4.5V,2.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA获取价格
SL2302SSLKORMICRO Electronics Co., Ltd类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.6A 功率(Pd):900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@4.5V,2.6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA获取价格
SL3407SLKORMICRO Electronics Co., Ltd类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.1A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@10V,4.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA获取价格
SL2300SLKORMICRO Electronics Co., Ltd类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4.2A 功率(Pd):1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@4.5V,4.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA获取价格
SSM3J332R,LFTOSHIBA CORPORATION类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):42mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@1mA获取价格
PMF170XP,115Nexperia类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):1A 功率(Pd):290mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):200mΩ@4.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.15V@250uA获取价格
ZXMP6A17E6TADiodes Incorporated类型:P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):2.3A 功率(Pd):1.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):125mΩ@10V,2.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA获取价格
NTA4153NT1GON Semiconductor类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):915mA 功率(Pd):300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):230mΩ@4.5V,600mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA获取价格
AP3400SShenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):5.8A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):32mΩ@10V,5.8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@250uA;获取价格
HFS10N65USemiHow Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):9.5A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):980mΩ@10V,4.75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA;获取价格
HY0C20CHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.类型:双N沟道(共漏);漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):1.56W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@4.5V,8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;获取价格
HY4903B6HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):314A;功率(Pd):268W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.7mΩ@10V,150A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;获取价格
HY029N10BHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):270A;功率(Pd):394.7W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.3mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
HY3704PHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):176A;功率(Pd):192W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.6mΩ@10V,88A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格