找到“VGS-25-XX”相关的规格书共376,084个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| TF3401 | Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):1.2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@2.5V,1.2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA; | 获取价格 | ||
| TF3414 | Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):4.2A;功率(Pd):1.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@2.5V,3.7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA; | 获取价格 | ||
| ST2300S23RG-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):2.1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@4.5V,6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA; | 获取价格 | ||
| BSS7728N H6327 | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):200mA;功率(Pd):360mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,500mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.3V@26uA; | 获取价格 | ||
| CJL3415 | Rubycon Corporation | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):350mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@4.5V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA; | 获取价格 | ||
| WNMD2167-6/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):5.7A;功率(Pd):900mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):21mΩ@4.5V,6.3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250μA; | 获取价格 | ||
| CJL2623 | Rubycon Corporation | 类型:2个P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):350mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):130mΩ@10V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| TMU4N60H | Wuxi Unigroup Microelectronics Co. Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.2Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| JCS2N60VB-IPAK | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):1.9A;功率(Pd):43.6W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| NCE6050IA | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):85W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| VBF2355 | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):20W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):56mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| VBFB1405 | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):85A;功率(Pd):312W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,85A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| HSP0016 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):27A;功率(Pd):87W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):47mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| HSP4024A | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):165A;功率(Pd):149W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.3mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| FQP10N20C | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):9.5A;功率(Pd):72W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):360mΩ@10V,4.75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| FDPF14N30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):300V;连续漏极电流(Id):14A;功率(Pd):35W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):290mΩ@10V,7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA; | 获取价格 | ||
| G120N04A | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):130W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| SE8090A | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):90A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| SE30150A | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):90W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.2mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| KNP2910A | KIA | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):130A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,70A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 |
