找到“3140UA”相关的规格书共5,804个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| ASDM60N50KQ-R | Ascend Frequency Devices | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):62.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):18nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):880pF@30V;反向传输电容(Crss@Vds):16pF@30V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ASDM20N60KQ-R | Ascend Frequency Devices | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):60W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@4.5V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):700mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):18nC@8V;输入电容(Ciss@Vds):980pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):80pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ASDM30N75KQ-R | Ascend Frequency Devices | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):75A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.8mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):11.1nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.56nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):178pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ASDM100N15KQ-R | Ascend Frequency Devices | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):15A;功率(Pd):55W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):95mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):932pF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):21pF@50V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ASDM100R750PKQ-R | Ascend Frequency Devices | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):72W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):75mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):9.7nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.051nF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):25pF@50V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| CJU4828 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):4.5A;功率(Pd):1.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):37mΩ@10V,4.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):5.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):540pF@30V;反向传输电容(Crss@Vds):25pF@30V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| APJ14N65D | Taiwan APM Technology Limited By Share Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):25.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):560mΩ@10V,3.2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):11nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):438pF@100V;反向传输电容(Crss@Vds):1.32pF@100V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| APG12N10D | Taiwan APM Technology Limited By Share Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):17W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):105mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):4.3nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):206.1pF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):1.4pF@50V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| JMTK3004A | JieJie Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):70W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.9mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):30nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.68nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):330pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCE60P20K | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):60W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):46.1nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.485nF@30V;反向传输电容(Crss@Vds):104pF@30V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MTD20N03HDLT4G-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):100W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,21.8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):25nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):2.201nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):370pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NT2955G-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):34W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):61mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):10nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):100pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCE3095K | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):95A;功率(Pd):95W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.1mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):38.4nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.784nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):212pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SMIRF4N65T9RL | Sourcechips | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):13.7nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):610pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):7pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KTD600K-Y-U--PH | KEC CORPORATION | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):150mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@50mA,5V;特征频率(fT):130MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KTB631K-Y-U--PH | KEC CORPORATION | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):150mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@50mA,5V;特征频率(fT):110MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SB1188 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):32V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):800mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@500mA,3V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| D882 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1A,2V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N7002T-HAF | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):115mA;功率(Pd):150mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,500mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):50pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):5pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD13002B | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):800mA;功率(Pd):900mW;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@200mA,40mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@200mA,10V;特征频率(fT):5MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
