| SE80160G | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):160A;功率(Pd):285W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| SE20P03 | SINO-IC | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):19A;功率(Pd):30W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V,10A; | | | 获取价格 |
| SE4060GB | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):45V;连续漏极电流(Id):56A;功率(Pd):62.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA; | | | 获取价格 |
| SE1SS400 | SINO-IC | 二极管配置:-;功率:-;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):1.2V@100mA;反向电流(Ir):100nA@80V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+125℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| SE80100GA | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | | | 获取价格 |
| MM1Z3V3 | SINO-IC | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):3.3V;稳压值(范围):3.1V~3.5V;精度:±5%;功率:500mW; | | | 获取价格 |
| SESD5Z12V | SINO-IC | SESD5Z12V | | | 获取价格 |
| SEMF05LC | SINO-IC | SEMF05LC | | | 获取价格 |
| SE4942B | SINO-IC | SE4942B | | | 获取价格 |
| SE40300GTS | SINO-IC | N沟道增强型MOSFET VDS=40V ID=288A TO247 | | | 获取价格 |
| SE2N7002 | SINO-IC | SE2N7002 | | | 获取价格 |
| SE30150B | SINO-IC | SE30150B | | | 获取价格 |
| SE30P50B | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):90W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,20A; | | | 获取价格 |
| SE2N60B | SINO-IC | | | | 获取价格 |
| SE8090A | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):90A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| SE30150A | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):90W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.2mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | | | 获取价格 |
| SE85210GA | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):210A;功率(Pd):310W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.8mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.8V@250uA; | | | 获取价格 |
| SE100P60A | SINO-IC | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):188W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| SE120120GA | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):120V;连续漏极电流(Id):129A;功率(Pd):185W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.1mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | | | 获取价格 |
| SEBT3904U | SINO-IC | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):250mW;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V;特征频率(fT):300MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
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