型号厂商描述数据手册替代料参考价格
SE80160GSINO-IC类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):160A;功率(Pd):285W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
SE20P03SINO-IC类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):19A;功率(Pd):30W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V,10A;获取价格
SE4060GBSINO-IC类型:N沟道;漏源电压(Vdss):45V;连续漏极电流(Id):56A;功率(Pd):62.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA;获取价格
SE1SS400SINO-IC二极管配置:-;功率:-;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):1.2V@100mA;反向电流(Ir):100nA@80V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+125℃@(Tj);获取价格
SE80100GASINO-IC类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;获取价格
MM1Z3V3SINO-IC二极管配置:独立式;稳压值(标称值):3.3V;稳压值(范围):3.1V~3.5V;精度:±5%;功率:500mW;获取价格
SESD5Z12VSINO-IC获取价格
SEMF05LCSINO-ICSEMF05LC获取价格
SE4942BSINO-ICSE4942B获取价格
SE40300GTSSINO-ICN沟道增强型MOSFET VDS=40V ID=288A TO247获取价格
SE2N7002SINO-ICSE2N7002获取价格
SE30150BSINO-ICSE30150B获取价格
SMBJ33CASINO-IC获取价格
SE8831ASINO-IC类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):6.1A;功率(Pd):700mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):19.5mΩ@4.5V,6.3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA;获取价格
SEZ52C2V7SINO-IC二极管配置:独立式;稳压值(标称值):-;稳压值(范围):2.57V~2.84V;精度:-;功率:200mW;反向电流(Ir):75uA@1V;阻抗(Zzt):83Ω;获取价格
SE6003CSINO-IC类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):1.7W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@10V,3A;获取价格
SE100130GASINO-IC类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):176W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
SE40160ASINO-IC类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):160A;功率(Pd):100W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,16A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
SE60210GASINO-IC类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):210A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.6mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
SE10060ASINO-IC类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):170W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):17mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格