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型号厂商描述数据手册替代料参考价格
SE150180GSINO-ICMOS管 N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=180A RDS(ON)=5mΩ@10V TO263获取价格
SMAJ5.0CASINO-IC获取价格
SE80130GSINO-IC类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):130A;功率(Pd):160W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.3mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA;获取价格
SE8090GSINO-IC类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):90A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,40A;获取价格
SE8810A(ESD)SINO-IC类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):1.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@4.5V,7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA;获取价格
SEBT818BASINO-IC晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):210mV@2A,20mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@500mA,1V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
SE100180GASINO-IC类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):180A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
SE18NS65ASINO-IC类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):150W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):190mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
SE100130ASINO-IC类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):130A;功率(Pd):285W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;获取价格
SE10030ASINO-IC类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):29mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
SE6020DBSINO-IC类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):45W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;获取价格
SE30100BSINO-IC类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):110W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;获取价格
SEB160M-40SINO-IC直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):510mV@1A;获取价格
SE30P12DSINO-IC类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):15mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;获取价格
SE8841ASINO-ICSE8841A获取价格
SESD5Z6VSINO-ICSESD5Z6V获取价格
SESD3Z12CSINO-ICSESD3Z12C获取价格
SE9926SINO-ICSE9926获取价格
SESD5L5VSINO-ICSESD5L5V获取价格
SE2302USINO-ICSE2302U获取价格